[發明專利]LDMOS及其形成方法

有效

• 申請號: 201610788877.0
• 申請日: 2016-08-31
• 公開（公告）號: CN107799591B
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發明（設計）人: 周飛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種LDMOS，其特征在于，包括：

襯底和位于所述襯底上的鰭部，所述鰭部包括隔離區、第一器件區和第二器件區，所述第一器件區和第二器件區分別位于所述隔離區兩側，所述鰭部隔離區中具有開口；

位于所述開口中的隔離層，所述隔離層覆蓋開口側壁的第一器件區鰭部，所述隔離層暴露出所述鰭部頂部表面，所述隔離層頂部表面齊平于或高于所述鰭部頂部表面；

橫跨所述第一器件區鰭部的柵極結構，所述柵極結構位于所述第一器件區鰭部部分側壁和頂部表面，且所述柵極結構還位于所述隔離層頂部上。

2.如權利要求1所述的LDMOS，其特征在于，所述隔離層暴露出所述開口側壁的部分第二器件區鰭部。

3.如權利要求1所述的LDMOS，其特征在于，所述隔離層完全覆蓋開口側壁暴露出的第二器件區鰭部。

4.如權利要求1所述的LDMOS，其特征在于，還包括：位于所述第一器件區和第二器件區襯底上的隔離結構，所述隔離結構表面低于所述鰭部頂部表面。

5.如權利要求1所述的LDMOS，其特征在于，還包括：位于所述第一器件區鰭部和襯底中的第一阱區；位于所述第一器件區鰭部和襯底、第二器件區鰭部和襯底、以及隔離區襯底中的第二阱區，所述第一阱區和第二阱區接觸。

6.如權利要求1所述的LDMOS，其特征在于，還包括：位于所述第一器件區鰭部中的第一源漏摻雜區，所述第一源漏摻雜區和第二器件區分別位于柵極結構兩側；位于所述第二器件區鰭部中的第二源漏摻雜區。

7.一種LDMOS的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底上具有鰭部，所述鰭部包括：隔離區和分別位于所述隔離區兩側的第一器件區和第二器件區，所述鰭部隔離區中具有開口；

在所述開口中形成隔離層，所述隔離層覆蓋所述開口側壁的第一器件區鰭部，所述隔離層頂部表面齊平于或高于所述鰭部頂部表面；

形成橫跨所述第一器件區鰭部的柵極結構，所述柵極結構位于所述第一器件區鰭部部分側壁和頂部表面，且所述柵極結構還位于所述隔離層頂部上。

8.如權利要求7所述的LDMOS的形成方法，其特征在于，形成柵極結構之前還包括：在所述第一器件區和第二器件區襯底上形成隔離結構，所述隔離結構表面低于所述鰭部頂部表面；

形成所述隔離層和所述隔離結構的步驟包括：

在所述隔離區、第一器件區和第二器件區襯底上形成隔離材料層，所述隔離材料層表面高于或齊平于所述鰭部頂部表面；

在所述開口中接觸所述第一器件區鰭部的部分隔離材料層上形成保護層；

以所述保護層為掩膜，對所述隔離材料層進行刻蝕，使第一器件區和第二器件區隔離材料層表面低于所述鰭部頂部表面，形成隔離層和隔離結構。

9.如權利要求8所述的LDMOS的形成方法，其特征在于，形成所述保護層的步驟包括：

在所述鰭部和隔離材料層上形成圖形層，所述圖形層暴露出所述開口中接觸所述第一器件區鰭部的部分隔離材料層；

在所述圖形層和圖形層暴露出的隔離材料層上形成初始保護層；

去除所述圖形層上的初始保護層，形成保護層；

形成保護層之后，去除所述圖形層。

10.如權利要求9所述的LDMOS的形成方法，其特征在于，去除所述圖形層上的初始保護層的工藝包括化學機械研磨。

11.如權利要求9所述的LDMOS的形成方法，其特征在于，所述隔離材料層表面高于所述鰭部頂部表面；形成所述隔離結構和隔離層的步驟還包括：形成所述初始保護層之前，對所述隔離材料層進行平坦化處理，使所述隔離材料層表面與所述鰭部表面齊平。

12.如權利要求8所述的LDMOS的形成方法，其特征在于，所述保護層的材料與所述隔離材料層的材料相同。