[發明專利]半導體結構的形成方法

有效

• 申請號: 201610787056.5
• 申請日: 2016-08-31
• 公開（公告）號: CN107799409B
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: 周飛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;吳敏

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

形成基底，所述基底包括用于形成晶體管的第一區域、第二區域和第三區域，且所述第一區域晶體管的閾值電壓大于第二區域晶體管的閾值電壓，所述第三區域晶體管的導電類型與第一區域晶體管和第二區域晶體管不同；

在所述基底上形成偽柵結構；

在相鄰偽柵結構間的基底上形成介質層；

去除所述偽柵結構在所述介質層內形成開口；

在所述開口底部形成柵介質層，位于所述第一區域介質層內開口底部的柵介質層為第一柵介質層，位于所述第二區域介質層內開口底部的柵介質層為第二柵介質層，位于所述第三區域介質層內開口底部的柵介質層為第三柵介質層；

在所述第二柵介質層和第三柵介質層上形成犧牲層；

在所述第一柵介質層和犧牲層上形成第一材料層；

形成位于所述第一材料層上的第一掩膜，所述第一掩膜露出所述第二柵介質層上的第一材料層；

以所述第一掩膜為掩膜，去除所述第二柵介質層上的第一材料層和犧牲層，露出所述第二柵介質層；

去除所述第一掩膜，露出所述第一柵介質層上的所述第一材料層，所述第一材料層還位于第三區域的犧牲層上；

形成第二材料層，所述第二材料層位于第一柵介質層上的第一材料層、所述第二柵介質層以及第三區域的犧牲層上。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成犧牲層的步驟中，所述犧牲層的厚度在到范圍內。

3.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述犧牲層的步驟包括：

在所述柵介質層上形成初始材料層；

去除所述第一柵介質層上的初始材料層，露出所述第一柵介質層，位于所述第二柵介質層上的初始材料層作為所述犧牲層。

4.如權利要求3所述的形成方法，其特征在于，去除所述第一柵介質層上的初始材料層的步驟包括：

在所述初始材料層上形成第二掩膜，所述第二掩膜露出所述第一柵介質層上的初始材料層；

以所述第二掩膜為掩膜，去除所述第一柵介質層上的初始材料層，露出所述第一柵介質層；

去除所述第二掩膜，露出所述第二柵介質層上的初始材料層，形成犧牲層。

5.如權利要求4所述的形成方法，其特征在于，形成所述第二掩膜的步驟包括：

在所述初始材料層上形成第二掩膜材料層；

在所述第二掩膜材料層上形成第一圖形層，所述第一圖形層露出所述第一柵介質層上的第二掩膜材料層；

以所述第一圖形層為掩膜，去除所述第一柵介質層上的第二掩膜材料層，露出所述第一柵介質層上的初始材料層，形成所述第二掩膜。

6.如權利要求5所述的形成方法，其特征在于，形成第二掩膜材料層的步驟中，所述第二掩膜材料層為底部抗反射層。

7.如權利要求5所述的形成方法，其特征在于，去除所述第一柵介質層上的第二掩膜材料層的步驟包括：通過干法刻蝕的方式去除所述第一柵介質層上的第二掩膜材料層。

8.如權利要求3或4所述的形成方法，其特征在于，去除所述第一柵介質層上的初始材料層的步驟包括：通過濕法刻蝕的方式去除所述第一柵介質層上的初始材料層。

9.如權利要求4所述的形成方法，其特征在于，去除所述第二掩膜的步驟中，通過灰化的方式去除所述第二掩膜。

10.如權利要求3所述的形成方法，其特征在于，

形成初始材料層的步驟中，所述初始材料層還位于所述第三柵介質層上；

形成第二掩膜的步驟中，所述第二掩膜還位于所述第三柵介質層上；

形成所述第一材料層的步驟中，所述第一材料層還位于所述第三柵介質層上；

形成第一掩膜的步驟中，所述第一掩膜還位于所述第三柵介質層上；