[發明專利]半導體封裝用的載板、半導體封裝組件及半導體組件封裝方法有效
| 申請號: | 201610784681.4 | 申請日: | 2016-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN107785326B | 公開(公告)日: | 2020-07-03 |
| 發明(設計)人: | 張宏憲;梁芳瑜;黃陳昱;曾文聰;賴顗喆 | 申請(專利權)人: | 矽品精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/13 | 分類號: | H01L23/13;H01L21/50 |
| 代理公司: | 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355 | 代理人: | 張雅軍 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 組件 方法 | ||
一種半導體封裝用的載板,借由將載板的連接層圖案化,而形成圖案化連接層,因此,當利用該具有圖案化連接層的載板作為半導體芯片封裝的暫時承載基板時,可讓封裝材料因高溫制程產生的揮發氣體借由該圖案化連接層的間隙泄出,而可避免因揮發氣體對后續制程造成的影響。
技術領域
本發明涉及一種半導體封裝技術,特別是涉及一種用于半導體封裝的暫時承載基板,及使用該暫時承載基板封裝而得的半導體封裝組件。
背景技術
隨著半導體技術的演進,半導體產品已開發出不同的封裝形態。而為了符合電子產品輕薄短小的發展趨勢,半導體封裝也發展出一種芯片尺寸封裝件(chip scalepackage,CSP)。此種芯片尺寸封裝件的特征在于封裝尺寸僅相等或略大于芯片,因此,可有效的減小封裝組件的尺寸及體積。
參閱圖1,前述該芯片尺寸封裝件的制程,大致如圖1所示,是如圖1(a)所示,先提供一具有第一離型層111的第一承載板11。接著,如圖1(b)所示,將多個半導體芯片200利用覆晶方式以其主動面201與該第一離型層111貼合,并讓所述半導體芯片200成一間隙分布。然后,如圖1(c)、(d)所示以模注方式,將一封裝材料(molding compound),如環氧樹脂等,形成一填滿所述半導體芯片200的間隙并包覆所述半導體芯片200的封裝膠層12,并移除部分該封裝膠層12至所述半導體芯片200的非主動面202露出。接著,如圖1(e)、(f)所示,再將一表面具有一第二離型層131的第二承載板13,以該第二離型層131與所述半導體芯片200的非主動面202及該封裝膠層12的表面連接,然后移除該第一承載板11,令所述半導體芯片200的主動面201露出,然后,如圖1(g)所示,再于該主動面201及封裝膠層12的表面形成一可用于對外電連接的電連接線路14,最后,如圖1(h)所示,再將該電連接線路14與一第三承載板15連接,并將該第二承載板13移除,即可自該封裝膠層12遠離該第三承載板15的表面進行切割(如圖中箭頭示意處),即可得到單粒封裝且封裝尺寸與該半導體芯片200尺寸相當的半導體封裝組件。
前述制程,如圖1(e)所示,因為該第二承載板13的第二離型層131與該封裝膠層12的接合接口為緊密貼合,但是整個組件封裝的制程過程中須要進行多次的高溫制程,例如,移除該第一承載板11時通常利用加熱方式(130℃)讓該第一離型層111喪失黏性而將該第一承載板11移除;或是形成電連接線路14時使用的高溫(約300℃)濺鍍、線路增層結構的介電層烘烤、或是導電凸塊(bump)的回焊等高溫制程。而這些高溫制程會讓封裝用的高分子材料內含的揮發性物質或吸收的水氣揮發而從該第二承載板13的第二離型層131與該封裝膠層12的接合接口泄出,或是因揮發氣體無法排出宣泄,而從電連接線路14側擠出,從而造成該第二承載板13與該封裝膠層12剝離,使得封裝過渡結構不平整、翹曲,導致后續形成電連接線路14時的制程誤差(如鉆孔誤差或線路對位誤差、不平整等),或是導致電連接線路14斷裂等問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種可宣泄揮發性氣體的半導體封裝用的載板。
本發明半導體封裝用的載板,該載板包含:一承載基材,及一形成于該承載基材其中一表面的圖案化連接層。
較佳地,所述半導體封裝用的載板,其中該圖案化連接層具有至少一連接塊,及定義出該至少一連接塊的通道,且該承載基材的表面會借由該通道對外裸露。
此外,本發明的另一目的在于提供一種半導體封裝組件。
本發明的半導體封裝組件,包含:一載板,具有一承載基材,及一形成于該承載基材其中一表面的圖案化連接層;至少一半導體芯片,具有一主動面、一與該主動面相對的非主動面,及一連接該主動面與該非主動面的側面,該至少一半導體芯片經由該非主動面與該載板的圖案化連接層相連接;及一封裝膠層,覆蓋該至少一半導體芯片的側面及該承載基材露出的表面,且令該至少一半導體芯片的該主動面露出。
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