[發(fā)明專(zhuān)利]刻蝕設(shè)備以及用于去除晶背邊緣薄膜的晶背邊緣刻蝕方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610776793.5
• 申請(qǐng)日: 2016-08-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106206236B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 范榮偉;陳宏璘;龍吟;王愷
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01J37/32
• 分類(lèi)號(hào): H01J37/32;H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237
• 代理人: 智云

1.一種刻蝕設(shè)備，其特征在于包括：上屏蔽擋板、側(cè)面屏蔽擋板以及底部屏蔽擋板；其中，上屏蔽擋板覆蓋在將被刻蝕的晶圓的上表面；側(cè)面屏蔽擋板覆蓋在將被刻蝕的晶圓的側(cè)表面；底部屏蔽擋板布置在用于支撐將被刻蝕的晶圓的基座的側(cè)部，使得基座與底部屏蔽擋板一起覆蓋了將被刻蝕的晶圓的下表面的中心區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕設(shè)備，其特征在于，上屏蔽擋板、側(cè)屏蔽擋板和底部屏蔽擋板三者相互單獨(dú)運(yùn)動(dòng)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的刻蝕設(shè)備，其特征在于，上屏蔽擋板、側(cè)屏蔽擋板和底部屏蔽擋板分別與晶圓的上表面、晶圓的側(cè)表面以及晶圓的下表面的距離是可調(diào)整的。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的刻蝕設(shè)備，其特征在于，底部屏蔽擋板的大小是可調(diào)整的而且是可更換的。

5.一種用于去除晶背邊緣薄膜的晶背邊緣刻蝕方法，其特征在于包括：

第一步驟：對(duì)晶圓執(zhí)行原子層氧化物薄膜沉積；

第二步驟：將原子層氧化物薄膜沉積后的晶圓布置到如權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的刻蝕設(shè)備中；

第三步驟：在所述刻蝕設(shè)備中執(zhí)行刻蝕以去除晶背薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于去除晶背邊緣薄膜的晶背邊緣刻蝕方法，其特征在于，在第二步驟中，利用上屏蔽擋板覆蓋將被刻蝕的晶圓的上表面；利用側(cè)面屏蔽擋板覆蓋將被刻蝕的晶圓的側(cè)表面；將底部屏蔽擋板布置在用于支撐將被刻蝕的晶圓的基座的側(cè)部，使得基座與底部屏蔽擋板一起覆蓋了將被刻蝕的晶圓的下表面的中心區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的用于去除晶背邊緣薄膜的晶背邊緣刻蝕方法，其特征在于，上屏蔽擋板、側(cè)屏蔽擋板和底部屏蔽擋板三者相互單獨(dú)運(yùn)動(dòng)。

8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的用于去除晶背邊緣薄膜的晶背邊緣刻蝕方法，其特征在于，上屏蔽擋板、側(cè)屏蔽擋板和底部屏蔽擋板分別與晶圓的上表面、晶圓的側(cè)表面以及晶圓的下表面的距離是可調(diào)整的。

9.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的用于去除晶背邊緣薄膜的晶背邊緣刻蝕方法，其特征在于，底部屏蔽擋板的大小是可調(diào)整的而且是可更換的。