[發明專利]半導體存儲裝置

在審

• 申請號: 201610770248.5
• 申請日: 2016-08-30
• 公開（公告）號: CN107452422A
• 公開（公告）日: 2017-12-08
• 發明（設計）人: 伊達浩己
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: G11C16/08
• 分類號: G11C16/08
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 楊林勛

[相關申請]

本申請享有以日本專利申請2016-108783號(申請日：2016年5月31日)為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請而包含基礎申請的全部內容。

技術領域

實施方式涉及一種半導體存儲裝置。

背景技術

作為半導體存儲裝置，已知有NAND(Not AND，與非)型閃存。

發明內容

本發明的實施方式提供一種半導體存儲裝置，能夠將字線的充放電提速而快速地將字線設定為所期望的電壓。

實施方式的半導體存儲裝置具備連接于存儲單元的字線以及對所述字線施加電壓的驅動器，所述驅動器在使具有第1電壓的所述字線轉變為第2電壓的情況下，對所述字線施加比所述第2電壓高第3電壓的電壓或比所述第2電壓低第3電壓的電壓中的任一第4電壓，所述第3電壓根據所述第1電壓與所述第2電壓的電壓差變化。

附圖說明

圖1是表示實施方式的半導體存儲裝置與包含該半導體存儲裝置的存儲器系統的構成的框圖。

圖2是表示實施方式的半導體存儲裝置的整體構成的框圖。

圖3是實施方式的半導體存儲裝置中的區塊的電路圖。

圖4是實施方式的半導體存儲裝置中的存儲單元陣列的剖視圖。

圖5是表示實施方式的半導體存儲裝置中的存儲單元晶體管能夠獲取的數據及閾值分布的圖。

圖6是表示實施方式的半導體存儲裝置中的其他存儲單元晶體管能夠獲取的數據及閾值分布的圖。

圖7是表示實施方式的半導體存儲裝置中的驅動器的構成的圖。

圖8(a)及(b)是表示第1實施方式的半導體存儲裝置中的字線電壓的轉變動作的圖。

圖9(a)及(b)是表示第1實施方式的半導體存儲裝置中的其他字線電壓的轉變動作的圖。

圖10是表示第1實施方式的半導體存儲裝置的讀取時的字線充電動作的第1例的圖。

圖11是表示第1實施方式的半導體存儲裝置的編程驗證時的字線充電動作的第1例的圖。

圖12是表示第1實施方式的半導體存儲裝置的讀取時的字線充電動作的第2例的圖。

圖13是表示第1實施方式的半導體存儲裝置的讀取時的字線充電動作的第3例的圖。

圖14是表示第1實施方式的半導體存儲裝置的讀取時的字線充電動作的第4例的圖。

圖15是表示第1實施方式的半導體存儲裝置的編程驗證時的字線充電動作的第2例的圖。

圖16是表示第1實施方式的半導體存儲裝置中的字線的電流路徑的一例的俯視圖。

圖17是表示第1實施方式的半導體存儲裝置中的字線的電流路徑的其他例的俯視圖。

圖18(a)及(b)是表示第2實施方式的半導體存儲裝置中的字線電壓的轉變動作的圖。

圖19(a)及(b)是表示第2實施方式的半導體存儲裝置中的其他字線電壓的轉變動作的圖。

圖20是表示第2實施方式的半導體存儲裝置的讀取時的字線充電動作的第1例的圖。

圖21是表示第2實施方式的半導體存儲裝置的編程驗證時的字線充電動作的第1例的圖。

圖22是表示第2實施方式的半導體存儲裝置的讀取時的字線充電動作的第2例的圖。

圖23是表示第2實施方式的半導體存儲裝置的讀取時的字線充電動作的第3例的圖。

圖24是表示第2實施方式的半導體存儲裝置的讀取時的字線充電動作的第4例的圖。

圖25是表示第2實施方式的半導體存儲裝置的編程驗證時的字線充電動作的第2例的圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對實施方式進行說明。此外，在以下的說明中，對具有相同功能及構成的構成要素標注共通的參照符號。此處，作為半導體存儲裝置，列舉在半導體襯底上方積層存儲單元晶體管而成的三維積層型的NAND型閃存為例進行說明。

[第1實施方式]

以下，對本實施方式的半導體存儲裝置與包含該半導體存儲裝置的存儲器系統進行說明。

1.存儲器系統的構成

首先，利用圖1對存儲器系統的構成進行說明。如圖1所示，存儲器系統10具備半導體存儲裝置、例如NAND型閃存100及控制器200。

NAND型閃存100具備多個存儲單元，將數據非易失地存儲。關于NAND型閃存100的構成，將在下文進行敘述。