[發明專利]半導體存儲裝置在審
| 申請號： | 201610770248.5 | 申請日： | 2016-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN107452422A | 公開（公告）日： | 2017-12-08 |
| 發明（設計）人： | 伊達浩己 | 申請（專利權）人： | 東芝存儲器株式會社 |
| 主分類號： | G11C16/08 | 分類號： | G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287 | 代理人： | 楊林勛 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 存儲 裝置 | ||
1.一種半導體存儲裝置，其特征在于具備：
字線，連接于存儲單元；以及
驅動器，對所述字線施加電壓；且
所述驅動器在使具有第1電壓的所述字線轉變為第2電壓的情況下，對所述字線施加比所述第2電壓高第3電壓的電壓或比所述第2電壓低第3電壓的電壓中的任一第4電壓，所述第3電壓根據所述第1電壓與所述第2電壓的電壓差變化。
2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：所述第3電壓為所述電壓差的1/2或1/4、1/8的任一電壓。
3.一種半導體存儲裝置，其特征在于具備：
字線，連接于存儲單元；以及
驅動器，對所述字線施加電壓；且
所述驅動器在使具有第1電壓的所述字線轉變為第2電壓的情況下，在根據所述第1電壓與所述第2電壓的電壓差變化的期間，對所述字線施加比所述第2電壓高的電壓或比所述第2電壓低的電壓的任一第4電壓。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體存儲裝置，其特征在于：通過所述驅動器對所述字線施加的所述第4電壓為所述字線所具有的最大電壓。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體存儲裝置，其特征在于：通過所述驅動器對所述字線施加的所述第4電壓為所述字線所具有的最低電壓。
6.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體存儲裝置，其特征在于：所述字線所具有的所述第2電壓為電壓的平均值。
7.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體存儲裝置，其特征在于：所述字線所具有的所述第2電壓為電壓的最大值。
8.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體存儲裝置，其特征在于：所述字線所具有的所述第2電壓為電壓的最小值。
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