[發明專利]一種LDMOS晶體管結構

有效

• 申請號: 201610765144.5
• 申請日: 2016-08-30
• 公開（公告）號: CN107785423B
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發明（設計）人: 王偉;江宇雷;陳玉華;魏琰
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/40
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 劉星

1.一種LDMOS晶體管結構，其特征在于，所述LDMOS晶體管結構包括：

半導體襯底；

位于所述半導體襯底內且分立設置的第一漂移區及第二漂移區；

位于所述第一漂移區內的源極及位于所述第二漂移區內的漏極；

位于所述半導體襯底上且兩側分別與所述第一漂移區、第二漂移區接觸的柵極結構；

位于所述第一漂移區中并將所述源極與所述柵極結構隔離的第一隔離結構；位于所述第二漂移區中并將所述漏極與所述柵極結構隔離的第二隔離結構；其中：

所述第一隔離結構與第二隔離結構上均設有浮置場板；所述浮置場板的材質為多晶硅。

2.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管結構，其特征在于：所述第一隔離結構與第二隔離結構上均只設有一個浮置場板。

3.根據權利要求2所述的LDMOS晶體管結構，其特征在于：所述浮置場板的寬度大于或等于所述第一、第二隔離結構寬度的三分之一。

4.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管結構，其特征在于：所述第一隔離結構與第二隔離結構上均設有多個分立設置的浮置場板。

5.根據權利要求4所述的LDMOS晶體管結構，其特征在于：所述第一隔離結構上的浮置場板數量為2-10，所述第二隔離結構上的浮置場板數量為2-10。

6.根據權利要求4所述的LDMOS晶體管結構，其特征在于：各浮置場板的寬度相等或不相等；各相鄰兩個浮置場板之間的距離相等或不相等。

7.根據權利要求2或4所述的LDMOS晶體管結構，其特征在于：所述柵極結構包括柵氧化層、形成于所述柵氧化層上的多晶硅柵以及形成于所述多晶硅柵側壁的側墻結構；所述浮置場板與所述側墻結構之間的距離大于或等于0。

8.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管結構，其特征在于：所述LDMOS晶體管結構為PLDMOS或NLDMOS。

9.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管結構，其特征在于：所述源極上連接有源極場板，所述漏極上連接有漏極場板；所述浮置場板與所述漏極場板或源極場板之間的距離大于0。

10.根據權利要求9所述的LDMOS晶體管結構，其特征在于：所述源極場板與漏極場板的材質為多晶硅。

11.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管結構，其特征在于：所述第一隔離結構與第二隔離結構均為淺溝槽隔離結構。

12.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管結構，其特征在于：所述半導體襯底內還設有阱區，所述第一漂移區與第二漂移區均位于所述阱區內。