[發(fā)明專利]一種N型單晶雙面電池的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610759745.5 | 申請日： | 2016-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN106299027B | 公開（公告）日： | 2017-12-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 勵小偉;梁海;賴儒丹;周濤銘;胡巧;張小明 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江啟鑫新能源科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 寧波市鄞州甬致專利代理事務(wù)所(普通合伙)33228 | 代理人： | 沈錫倍 |
| 地址： | 315700 浙江省寧波市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 型單晶 雙面 電池 制備 方法 | ||
1.一種N型單晶雙面電池的制備方法，具體包括如下步驟：
S1在硅片正面制絨，然后進行B擴散；
S2進行濕法蝕刻，去除硅片背面、邊緣形成的自擴散層；
S3然后采用PEVCD設(shè)備在B擴散層上面沉積SiNX掩膜；
S4對硅片背面進行P擴散；
S5等離子蝕刻硅片邊緣的自擴散層，接著用腐蝕液對硅片進行清洗，去除硅片表面SiNX掩膜層和磷硅玻璃層；
S6利用ALD方式形成硅片正面Al2O3鈍化膜，然后在硅片正面沉積SiNX保護膜、在硅片背面沉積SiNX減反膜；
S7在硅片的正面和背面分別進行絲網(wǎng)印刷形成電極，然后燒結(jié)；
其特征在于，步驟S1所述在硅片正面制絨的具體方法為：先用激光在硅片正面形成金字塔結(jié)構(gòu)，并用氮氣清潔干凈，然后加熱硅片到70°～80°，利用超聲波霧化技術(shù)在硅片正面沉積一層均勻、不連續(xù)的NaOH小液滴，經(jīng)過2～4分鐘腐蝕后在硅片正表面形成金字塔絨面結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種N型單晶雙面電池的制備方法，其特征在于：NaOH小液滴霧化前的NaOH溶液的質(zhì)量百分比濃度為10％～20％。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種N型單晶雙面電池的制備方法，其特征在于：所述腐蝕液為硝酸與氫氟酸的混合液，硝酸與氫氟酸的質(zhì)量濃度比為6:1。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于浙江啟鑫新能源科技股份有限公司，未經(jīng)浙江啟鑫新能源科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610759745.5/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
