[發明專利]重布線路結構

有效

• 申請號: 201610757064.5
• 申請日: 2016-08-30
• 公開（公告）號: CN107195618B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 李宗徽;郭宏瑞;何明哲;黃子蕓
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種重布線路結構，電性連接于位于其下方的至少一導體，其特征在于，該重布線路結構包括：

介電層，覆蓋該導體，且該介電層包括用來暴露該導體的至少一接觸開口；

對位標記，配置在該介電層上，該對位標記包括位于該介電層上的基部以及位于該基部上的凸出部，其中該凸出部的最大厚度與該基部的厚度的比值小于0.25；以及

重布導電層，配置在該介電層上，該重布導電層包括導通孔，且該導通孔通過該接觸開口電性連接至該導體，該對位標記及該導體被該介電層隔開于彼此，且該導通孔包括在其上表面上的凹陷，且該導體至該凹陷的底部的最小距離大于該凹陷的深度。

2.根據權利要求1所述的重布線路結構，其特征在于，該導體至該導通孔的上表面的最小距離大于該凸出部的最大厚度及該基部的厚度的總和。

3.根據權利要求1所述的重布線路結構，其特征在于，該凹陷分布在該接觸開口的上方與之外。

4.根據權利要求1所述的重布線路結構，其特征在于，該導體至該凹陷的該底部的最小距離大于該凸出部的最大厚度及該基部的厚度的總和。

5.根據權利要求1所述的重布線路結構，其特征在于，該導體的暴露區域外露于該接觸開口，該暴露區域的直徑小于等于50微米，該凸出部的最大厚度小于0.5微米，該凹陷的深度小于0.5微米。

6.根據權利要求1所述的重布線路結構，該導體的暴露區域外露于該接觸開口，該介電層具有環繞該接觸開口的第一側墻，該暴露區域與該第一側墻之間夾有第一鈍角，該導通孔具有環繞該凹陷的第二側墻，該凹陷的該底部與該第二側墻之間夾有第二鈍角，且第二鈍角大于第一鈍角。

7.根據權利要求1項所述的重布線路結構，其特征在于，更包括：

圖案化種子層，包括形成于該導體與該重布導電層之間的至少一第一種子圖案以及形成于該介電層與該對位標記之間的至少一第二種子圖案。

8.一種扇出型集成電路封裝，其特征在于，包括：

集成電路，包括至少一導電柱；

絕緣包封體，包封該集成電路且外露該集成電路的該導電柱；以及

重布線路結構，設置在該集成電路與該絕緣包封體上，且電性連接至該集成電路的該導電柱，該重布線路結構包括：

介電層，覆蓋該集成電路與該絕緣包封體且包括用來暴露該導電柱的至少一接觸開口；

對位標記，配置在該介電層上，該對位標記包括位在該介電層上的基部及位在該基部上的凸出部，其中該凸出部的最大厚度與該基部的厚度的比值小于25％；以及

重布導電層，配置在該介電層上，該重布導電層包括導通孔，且該導通孔透過該接觸開口電性連接至該導電柱，該對位標記及該導電柱被該介電層隔開于彼此，且該導通孔包括在其上表面上的凹陷，且該導電柱至該凹陷的底部的最小距離大于該凹陷的深度。

9.根據權利要求8項所述的扇出型集成電路封裝，其特征在于，該導電柱至該導通孔的上表面的最小距離大于該凸出部的最大厚度及該基部的厚度的總和。

10.根據權利要求8項所述的扇出型集成電路封裝，其特征在于，該凹陷分布在該接觸開口的上方與之外。

11.根據權利要求8項所述的扇出型集成電路封裝，其特征在于，該導電柱至該凹陷的該底部的最小距離大于該凸出部的最大厚度及該基部的厚度的總和。

12.根據權利要求8項所述的扇出型集成電路封裝，其特征在于，該導電柱的暴露區域外露于該接觸開口，該暴露區域的直徑小于等于50微米，該凸出部的最大厚度小于0.5微米，該凹陷的深度小于0.5微米。