[發(fā)明專(zhuān)利]一種光催化裂解水制氫用薄膜催化劑及其制備方法和應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610756508.3 | 申請(qǐng)日: | 2016-08-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107774289A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-03-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭旺;李國(guó)京;黃集權(quán);胡倩倩;鄧種華;蘭海;陳劍;劉著光;江亞斌 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào): | B01J27/24 | 分類(lèi)號(hào): | B01J27/24;B01J35/06;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/06;C25B11/06;C25B1/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京知元同創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11535 | 代理人: | 劉元霞,牛艷玲 |
| 地址: | 350002 *** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 光催化 裂解 水制氫用 薄膜 催化劑 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種光催化裂解水制氫用薄膜催化劑,其特征在于,所述薄膜為N摻雜TiO2薄膜,由排列整齊緊密、取向一致的TiO2納米棒陣列構(gòu)成。
優(yōu)選地,所述TiO2納米棒為銳鈦礦相。
還優(yōu)選地,所述薄膜為多晶薄膜結(jié)構(gòu),由不同取向的TiO2單晶納米棒構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的催化劑,其特征在于,所述薄膜中N的摻雜量為0.1-5mol%,優(yōu)選為0.2-4mol%,還優(yōu)選為0.3-3mol%,更優(yōu)選為0.35%-2.5mol%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的催化劑,其特征在于,所述薄膜的厚度為500-1000nm。
4.一種權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的光催化裂解水制氫用薄膜催化劑的制備方法,其特征在于,該制備方法屬于化學(xué)氣相沉積法,是通過(guò)磁控濺射鍍膜系統(tǒng)進(jìn)行氣相反應(yīng)沉積制備所述薄膜催化劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法,其特征在于,該制備方法包括以下步驟:
(1)清洗待沉積所述薄膜的基片;
(2)破真空,將載有上述清洗后基片的樣品臺(tái)與待濺射的鈦靶裝入磁控濺射腔體,調(diào)節(jié)正負(fù)極板間距即樣品臺(tái)與靶槍間的距離;
(3)對(duì)基片進(jìn)行預(yù)熱處理;
(4)先抽真空,然后關(guān)閉樣品臺(tái)擋板,再通入惰性氣體作為濺射工作氣氛,預(yù)濺射鈦靶;
(5)通入氧氣和氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣,調(diào)節(jié)系統(tǒng)工作氣壓后,打開(kāi)樣品臺(tái)擋板,在基片保溫條件下,繼續(xù)濺射鈦靶,開(kāi)始進(jìn)行所述薄膜的沉積,制備得到所述光催化裂解水制氫用薄膜催化劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,步驟(1)中,所述基片為玻璃或陶瓷基片,例如石英玻璃、FTO玻璃、AZO玻璃、藍(lán)寶石玻璃或硅片。
優(yōu)選地,步驟(2)中,所述樣品臺(tái)與靶槍間的距離為90~130mm,例如為110mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的制備方法,其特征在于,步驟(3)中,所述預(yù)熱處理包括:打開(kāi)加熱電源對(duì)基片進(jìn)行預(yù)熱,再先后打開(kāi)機(jī)械泵和分子泵抽真空。
8.根據(jù)權(quán)利要求5-7任一項(xiàng)所述的制備方法,其特征在于,步驟(4)中,抽真空,當(dāng)系統(tǒng)真空度大于等于5.0×10-3Pa時(shí),關(guān)閉樣品臺(tái)擋板,再通入惰性氣體(如氬氣等)作為濺射工作氣氛,將系統(tǒng)總工作氣壓調(diào)節(jié)至0.3-1.0Pa(優(yōu)選0.4-0.7Pa),RF電源的濺射功率調(diào)節(jié)至50-150W(優(yōu)選70-120W),預(yù)濺射鈦靶20-60min(優(yōu)選30-40min)。
9.根據(jù)權(quán)利要求5-8任一項(xiàng)所述的制備方法,其特征在于,步驟(5)中,所述氧氣的流量為3-10sccm(優(yōu)選4-6sccm),所述氮?dú)獾牧髁咳Q于N的摻雜量。進(jìn)一步地,除了氧氣和氮?dú)馔?,還通入有氬氣;優(yōu)選地,氬氣的流量為20-80sccm(優(yōu)選30-60sccm,示例性的為40sccm)。
優(yōu)選地,步驟(5)中,通入氧氣和氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣,調(diào)節(jié)系統(tǒng)工作氣壓為0.3-0.8Pa(例如為0.5Pa)后,打開(kāi)樣品臺(tái)擋板,基片的溫度保持在室溫~700℃(例如500-600℃,具體如550℃),繼續(xù)濺射鈦靶,開(kāi)始進(jìn)行所述薄膜的沉積,沉積的時(shí)間為4~10小時(shí)(例如7小時(shí)),制備得到所述光催化裂解水制氫用薄膜催化劑。
10.權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述薄膜催化劑的應(yīng)用,其特征在于,所述催化劑用于光催化裂解水制氫,具體是作為光催化裂解水制氫用光催化劑。
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