[發(fā)明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610756324.7
• 申請日: 2016-08-29
• 公開（公告）號: CN107785422B
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發(fā)明（設計）人: 趙猛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;吳敏

1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底；

刻蝕所述基底，形成襯底以及凸出于所述襯底的鰭部；

在相鄰所述鰭部之間的襯底內形成溝槽；

對所述溝槽側壁進行離子摻雜，在所述溝槽側壁的襯底內形成防擴散摻雜區(qū)；

對所述基底進行退火處理，使所述防擴散摻雜區(qū)擴散至所述鰭部的部分側壁內；

形成所述防擴散摻雜區(qū)后，在所述溝槽中形成隔離結構；

形成橫跨所述鰭部且覆蓋部分鰭部頂部和側壁表面的柵極結構；

在所述柵極結構兩側的鰭部內形成源漏摻雜區(qū)。

2.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述基底用于形成N型晶體管，所述離子摻雜的步驟采用N離子和C離子中的一種或兩種。

3.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述基底用于形成P型晶體管，所述離子摻雜的步驟采用N離子、C離子和F離子中的一種或多種。

4.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，在所述溝槽側壁的襯底內形成防擴散摻雜區(qū)的步驟包括：對所述溝槽側壁進行離子注入工藝。

5.如權利要求4所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，摻雜離子包括F離子，所述離子注入工藝的步驟中，F(xiàn)離子的注入離子能量為4KeV至20KeV，注入離子劑量為1E14原子每平方厘米至1E15原子每平方厘米，注入角度為0度至35度；

摻雜離子包括N離子，所述離子注入工藝的步驟中，N離子的注入離子能量為4KeV至20KeV，注入離子劑量為5E13原子每平方厘米至1E15原子每平方厘米，注入角度為0度至35度；

摻雜離子包括C離子，所述離子注入工藝的步驟中，C離子的注入離子能量為2KeV至10KeV，注入離子劑量為1E14原子每平方厘米至5E14原子每平方厘米，注入角度為0度至35度。

6.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，刻蝕基底的步驟中，在相鄰所述鰭部之間形成露出所述襯底的開口；

在相鄰所述鰭部之間的襯底內形成溝槽之前，所述制造方法還包括：在所述鰭部的側壁上形成刻蝕側墻；

形成所述溝槽的步驟包括：以所述刻蝕側墻為掩膜，沿所述開口刻蝕相鄰所述鰭部之間的襯底，在所述襯底內形成溝槽；

形成所述溝槽后，對所述溝槽側壁進行離子摻雜之前，所述制造方法還包括：去除所述刻蝕側墻；

對所述溝槽側壁進行離子摻雜工藝的步驟中，對相鄰所述鰭部之間的襯底進行離子摻雜工藝。

7.如權利要求6所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述刻蝕側墻的材料為氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、氮氧化硅、氮化硼或碳氮化硼。

8.如權利要求6所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述刻蝕側墻的厚度為至

9.如權利要求6所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，形成所述刻蝕側墻的步驟包括：形成保形覆蓋所述鰭部的刻蝕側墻膜，所述刻蝕側墻膜還覆蓋所述襯底頂部；

采用無掩膜刻蝕工藝，去除所述鰭部頂部和襯底上的刻蝕側墻膜，所述鰭部側壁上的剩余刻蝕側墻膜為所述刻蝕側墻。

10.如權利要求9所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，形成所述刻蝕側墻膜的工藝為原子層沉積工藝。

11.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述退火處理為激光退火、尖峰退火或快速熱退火工藝。

12.如權利要求11所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述退火處理為尖峰退火工藝；

所述尖峰退火工藝的工藝參數(shù)包括：退火溫度為950攝氏度至1050攝氏度，壓強為一個標準大氣壓。