[發明專利]半導體存儲裝置在審
| 申請號： | 201610756199.X | 申請日： | 2016-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN107195325A | 公開（公告）日： | 2017-09-22 |
| 發明（設計）人： | 本間充祥 | 申請（專利權）人： | 東芝存儲器株式會社 |
| 主分類號： | G11C16/04 | 分類號： | G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287 | 代理人： | 楊林勛 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 存儲 裝置 | ||
1.一種半導體存儲裝置，其特征在于具備：
第一存儲器單元，能夠存儲2位以上的數據；及
字線，連接于所述第一存儲器單元；且
在所述第一存儲器單元的寫入動作中，
在所述寫入動作的第一期間，對所述字線在施加第一次數的寫入電壓之后施加驗證電壓，
在繼所述第一期間之后的第二期間，對所述字線在施加比所述第一次數多的第二次數的寫入電壓之后施加驗證電壓。
2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：
在所述第一期間，對所述字線施加所述第一寫入電壓，
在所述第二期間，對所述字線施加與所述第一寫入電壓不同的第二寫入電壓、及比所述第一及第二寫入電壓高的第三寫入電壓。
3.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：
所述第一期間的驗證是將驗證電壓一面上升一面施加第三次數，
所述第二期間的驗證是將驗證電壓一面上升一面施加比所述第三次數多的第四次數。
4.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：
所述第一次數是1次，所述第二次數是2次。
5.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于還具備：
第二及第三存儲器單元，連接于所述字線；及
第一至第三位線，分別連接于所述第一至第三存儲器單元；且
在施加所述第一寫入電壓的期間，對所述第一位線施加第一電壓或比所述第一電壓高的第二電壓，且對所述第二位線施加所述第一電壓，且對所述第三位線施加所述第二電壓。
6.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：
在所述寫入動作中，在所述第一期間之前的第三期間，對所述字線在施加所述第二次數的寫入電壓之后施加驗證電壓。
7.根據權利要求6所述的半導體存儲裝置，其特征在于：
在所述第一期間，對所述字線施加所述第一寫入電壓，
在所述第二期間，對所述字線施加與所述第一寫入電壓不同的第二寫入電壓、及比所述第一及第二寫入電壓高的第三寫入電壓，
在所述第三期間，對所述字線施加比所述第一寫入電壓低的第四寫入電壓、及比所述第四寫入電壓高且比所述第三寫入電壓低的第五寫入電壓。
8.根據權利要求6所述的半導體存儲裝置，其特征在于：
所述第一期間的驗證是將驗證電壓一面上升一面施加第三次數，
所述第二期間的驗證是將驗證電壓一面上升一面施加比所述第三次數多的第四次數，
所述第三期間的驗證是將驗證電壓一面上升一面施加所述第四次數。
9.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：
所述第一存儲器單元是能夠存儲2位的數據的存儲器單元。
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