[發(fā)明專利]氧化物薄膜的場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610754922.0 | 申請(qǐng)日: | 2016-08-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106252394B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-10-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李俊;張建華;蔣雪茵;張志林 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L29/41 | 分類號(hào): | H01L29/41;H01L29/417;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司: | 上海上大專利事務(wù)所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顧勇華 |
| 地址: | 200444*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 成分 有源 結(jié)構(gòu) 氧化物 薄膜 場(chǎng)效應(yīng) 晶體管 器件 及其 制備 方法 | ||
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
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