[發明專利]氧化物薄膜的場效應晶體管器件及其制備方法有效
| 申請號： | 201610754922.0 | 申請日： | 2016-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN106252394B | 公開（公告）日： | 2019-10-11 |
| 發明（設計）人： | 李俊;張建華;蔣雪茵;張志林 | 申請（專利權）人： | 上海大學 |
| 主分類號： | H01L29/41 | 分類號： | H01L29/41;H01L29/417;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顧勇華 |
| 地址： | 200444*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 成分 有源 結構 氧化物 薄膜 場效應 晶體管 器件 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
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