[發(fā)明專利]Cr2O3摻雜Al2O3濺射靶材的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610752565.4 | 申請(qǐng)日: | 2016-08-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106282943B | 公開(公告)日: | 2018-12-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 賈澤夏;莊志杰;諸斌;顧宗慧 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 基邁克材料科技(蘇州)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/34 | 分類號(hào): | C23C14/34 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人: | 郭春遠(yuǎn) |
| 地址: | 215214 江蘇省蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 濺射靶材 制備 摻雜 薄膜 致密 按比例混合 離子摻雜 燒結(jié) 燒結(jié)爐 毛坯 導(dǎo)電 晶型 粒徑 膜層 發(fā)光 壓制 | ||
Cr2O3摻雜Al2O3濺射靶材的制備方法,選擇粒徑為0.5?6μm的球形Cr2O3粉和Al2O3粉為原料,按比例混合均勻壓制毛坯,然后置于大氣燒結(jié)爐中進(jìn)行燒結(jié),降溫后對(duì)半成品進(jìn)行加工處理,得到Cr2O3摻雜Al2O3濺射靶材。離子摻雜改善Al2O3薄膜的晶型,相對(duì)理論密度高,制備出的薄膜膜層致密,不易從基體脫落,導(dǎo)電和發(fā)光等特性提高,而且壽命長(zhǎng)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及IPC分類C23C真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆技術(shù),屬于新材料領(lǐng)域,尤其是Cr2O3摻雜Al2O3濺射靶材的制備方法。
背景技術(shù)
近年來(lái)Al2O3薄膜因?yàn)槠鋵挼膸丁?yōu)良的物理及化學(xué)性能,如較高的介電常數(shù)、機(jī)械強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高、耐磨、耐腐蝕等諸多優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用在抗磨損、抗腐蝕隔離層包裹、光波導(dǎo)器件制造等領(lǐng)域。并且能提供從紫外到近紅外的透明窗口,而成為電致發(fā)光元件的重要組成部分和平板顯示器件中的光學(xué)激發(fā)層材料。離子摻雜可以使Al2O3薄膜的晶型、導(dǎo)電和發(fā)光等特性發(fā)生相應(yīng)的改變,因而可用于不同技術(shù)領(lǐng)域,提高器件技術(shù)水平。目前,關(guān)于Al2O3薄膜的發(fā)光機(jī)理,尤其是摻雜濃度對(duì)Al2O3薄膜發(fā)光性能的系統(tǒng)研究相對(duì)較少。對(duì)于Al2O3光致發(fā)光機(jī)理的研究主要集中在摻雜粒子導(dǎo)致的發(fā)光及Al2O3自身氧缺陷吸收電子形成色心引起的發(fā)光。在摻雜發(fā)光方面,Cr3+離子作為第一種投入使用的激光介質(zhì)的摻雜材料,一直是人們研究的熱點(diǎn)。
靶材是真空鍍膜的原材料,靶材的性能直接影響膜系的綜合性能。因此,為保證濺射薄膜具有較好的導(dǎo)電發(fā)光性能、較高的密度以及薄膜厚度的均勻性,所使用的靶材無(wú)論是成分還是晶體取向都必須具有好的均勻性,高密度及高的發(fā)光性。本工藝通過(guò)Cr2O3摻雜Al2O3高密度靶材實(shí)現(xiàn)濺射鍍膜,獲得Al2O3薄膜特殊的應(yīng)用。
有研億金新材料有限公司在201610217904.9公開了屬于靶材制備技術(shù)領(lǐng)域的一種氧化物靶材及其制備方法。所述氧化物靶材濺射面的邊緣加工有倒角或圓角,濺射面的非主濺射區(qū)加工有凹槽結(jié)構(gòu),所有拐角處加工有圓角。所述的氧化物為Al2O3、TiO2、Nb2O5、HfO2、 La2O3、ZnO、MgO、ITO、AZO、IGZO的一種或一種以上。將高純氧化物粉體通過(guò)燒結(jié)工藝制備成氧化物靶坯,然后通過(guò)機(jī)械加工,在氧化物靶坯濺射面的邊緣加工出倒角或圓角,在非主濺射區(qū)加工出凹槽結(jié)構(gòu),在所有拐角處加工出圓角,形成氧化物靶材。通過(guò)對(duì)所述氧化物靶材進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì),降低了靶材在濺射中開裂的風(fēng)險(xiǎn),實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量的濺射鍍膜。
目前制膜與摻雜方法很多,如射頻濺射、脈沖激光沉積(PLD)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、以及分子束外延(MBE)和溶膠一凝膠法等。較低濃度的離子摻雜薄膜要求對(duì)摻雜濃度進(jìn)行嚴(yán)格控制。
發(fā)明內(nèi)容
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于基邁克材料科技(蘇州)有限公司,未經(jīng)基邁克材料科技(蘇州)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610752565.4/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





