[發明專利]一種晶體管的凹槽柵制備方法及大功率射頻器件有效
| 申請號： | 201610750543.4 | 申請日： | 2016-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN107799407B | 公開（公告）日： | 2020-07-17 |
| 發明（設計）人： | 黃榮;于國浩;黃源清;張寶順;丁孫安 | 申請（專利權）人： | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L29/423;H01L29/778 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 215123 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶體管 凹槽 制備 方法 大功率 射頻 器件 | ||
1.一種晶體管的凹槽柵制備方法，其特征在于，包括：
S01、在襯底上先后沉積犧牲層和光刻膠；制成所述犧牲層的材料包括二氧化硅；
S02、利用激光直寫光刻對所述光刻膠的光刻區域進行相變處理；
S03、利用顯影液浸泡處理在相變處理后的光刻膠和所述犧牲層上進行顯影；在所述光刻膠的非光刻區域和所述犧牲層上形成光刻圖形；所述顯影液為能夠腐蝕光刻膠，但不能腐蝕所述相變處理后的光刻膠的溶液；
S04、通過在氧氣、壓縮空氣或真空環境中對所述相變處理后的光刻膠進行退火處理；以進一步對所述相變處理后的光刻膠進行相變處理；
S05、以所述進一步相變處理后的光刻膠和所述犧牲層作為掩膜對所述襯底進行刻蝕；
S06、去除所述襯底上的剩余所述光刻膠和所述犧牲層，在所述襯底上形成晶體管的凹槽柵。
2.根據權利要求1所述的凹槽柵制備方法，其特征在于，所述晶體管為高電子遷移率晶體管；
所述步驟S01中沉積犧牲層和光刻膠的方法包括：原子層沉積、等離子體增強化學氣相沉積、電耦合等離子化學氣相沉積、光學薄膜沉積、磁控濺射沉積或電子束蒸發沉積；所述襯底為氮化鎵。
3.根據權利要求1所述的凹槽柵制備方法，其特征在于，所述退火處理的退火時間為20～40分鐘。
4.根據權利要求1所述的凹槽柵制備方法，其特征在于，所述步驟S05，包括：
以所述進一步相變處理后的光刻膠和所述犧牲層作為掩膜，利用等離子體刻蝕對襯底進行刻蝕；
所述等離子體刻蝕包括：反應等離子體刻蝕或電感耦合等離子體刻蝕。
5.根據權利要求1所述的凹槽柵制備方法，其特征在于，所述光刻膠為無機光刻膠。
6.根據權利要求1所述的凹槽柵制備方法，其特征在于，所述犧牲層的厚度為15～30納米。
7.根據權利要求1所述的凹槽柵制備方法，其特征在于，所述光刻膠的厚度為30～80納米。
8.根據權利要求1-7任意一項所述的凹槽柵制備方法制備的大功率射頻器件。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所，未經中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610750543.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：用于加工晶片的方法和用于加工載體的方法
- 下一篇：半導體器件的制備方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
