[發明專利]一種測序反應小室制備方法

在審

• 申請號: 201610739622.5
• 申請日: 2016-08-26
• 公開（公告）號: CN107779386A
• 公開（公告）日: 2018-03-09
• 發明（設計）人: 盛司潼;祝捷
• 申請（專利權）人: 廣州康昕瑞基因健康科技有限公司
• 主分類號: C12M1/00
• 分類號: C12M1/00;C12M1/34
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及基因測序設備制造領域，更具體地說，涉及一種測序反應小室制備方法。

背景技術

在基因測序領域，測序反應一般通過磁珠在測序反應小室上進行。在測序反應小室設計時，一般采用多片式結構，使試劑從測序反應小室的反應通道中流過，并通過反應通道的一個硅烷化表面固定磁珠，進而完成基因測序反應。而在測序反應小室的制備的過程中，當進行等離子化步驟時，已被硅烷化的表面容易被破壞。

因此，需要一種新的制備測序反應小室的方法，避免在等離子化過程中破壞硅烷化表面。

發明內容

本發明的目的在于提供一種測序反應小室制備方法，旨在解決測序反應小室的制備過程中，在進行等離子化步驟時，測序反應小室的硅烷化表面容易被破壞的問題。

為了實現發明目的，本發明提供一種測序反應小室制備方法，包括以下步驟：

遮掩步驟，第一基片包括第一表面，第二基片包括朝向第一表面的第二表面，第二表面開設凹槽，將第二基片凹槽底面或第一表面對應凹槽開口范圍的區域定義為目標區域，用物理方法對目標區域進行遮掩；

第一等離子化步驟，對第一基片的第一表面未遮掩的區域進行等離子化處理，將第一表面改性為親水表面；

第二等離子化步驟，對第二基片的第二表面未遮掩的區域進行等離子化處理，將第二表面改性為親水表面；

鍵合步驟，移除遮掩，將第一基片的第一表面和第二基片的第二表面接觸鍵合，得鍵合產物；

硅烷化步驟，對鍵合產物中的目標區域的相對表面進行硅烷化，得測序反應小室。

其中，所述遮掩步驟使用遮掩裝置進行遮掩。

進一步的，所述遮掩裝置包括壓緊裝置、壓塊和工作臺。

進一步的，所述壓緊裝置包括移動塊。

進一步的，所述壓塊設于移動塊的下方，所述壓塊下部為彈性壓頭。

進一步的，所述工作臺位于壓塊下方，所述工作臺上設有基片放置位。

進一步的，所述彈性壓頭用于遮掩置于基片放置位上的基片的目標區域。

進一步的，所述壓緊裝置還包括導柱和配重塊。

進一步的，所述導柱固設在工作臺上；所述移動塊滑動套設在導柱上。

進一步的，所述配重塊可拆卸地安裝在移動塊上。

進一步的，所述移動塊設有配重塊放置位，所述配重塊可拆卸的安裝在配重塊放置位上。

進一步的，所述壓塊可拆卸固定在移動塊上。

進一步的，所述壓塊包括左壓塊、右壓塊和夾在左壓塊和右壓塊之間的彈性壓頭；所述左壓塊固定在移動塊下部；所述右壓塊可拆卸的固定在左壓塊上。

進一步的，所述彈性壓頭為橡膠薄膜或封口膜。

進一步的，所述左壓塊或右壓塊包括方條狀的承壓部和板狀的固定部。所述基片放置位包括基片限位臺階。

進一步的，所述鍵合步驟具體為：通過貼合，將第一基片的第一表面與第二基片的第二表面接觸，進而形成共價結合力緊密連接。

其中，所述第一基片為上基片，第二基片為下基片。

其中，所述第一基片為下基片，第二基片為上基片。

進一步的，所述等離子化處理具體為將第一基片或第二基片置于混合有氧氣和惰性氣體的容器后經紫外燈照射或將第一基片或第二基片置于混合有氧氣和氮氣的容器后經紫外燈照射。

進一步的，所述惰性氣體為氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣或氡氣。

進一步的，所述硅烷化產物具有一反應通道，所述硅烷化具體為將硅烷化試劑通入反應通道，使鍵合產物中目標區域的相對表面浸泡在硅烷化試劑中進行反應。

進一步的，所述第二基片的材質為PDMS。

進一步的，所述上基片的材質為玻璃薄片。

進一步的，在所述遮掩步驟前還包括清洗步驟，所述清洗步驟包括采用異丙醇對第一基片或第二基片進行清洗。

由上可知，本發明通過對目標區域的遮掩，實現了在等離子化過程中對目標區域的保護，保證了測序反應小室的制備質量。

附圖說明

圖1為本發明一實施例中的測序反應小室制備方法流程示意圖。

圖2為本發明一實施例中的遮掩裝置的示意圖。

圖3為本發明一實施例中遮掩的上基片示意圖。

圖4為本發明一較佳實施例的遮掩裝置的工作臺的結構示意圖。

圖5為本發明一較佳實施例的遮掩裝置的配重塊的結構示意圖。

圖6為本發明一較佳實施例的遮掩裝置的壓塊的結構示意圖。

圖7為本發明一實施例的遮掩裝置的移動塊結構示意圖。