[發(fā)明專利]一種測(cè)序反應(yīng)小室制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610739622.5 | 申請(qǐng)日: | 2016-08-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107779386A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-03-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 盛司潼;祝捷 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣州康昕瑞基因健康科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C12M1/00 | 分類號(hào): | C12M1/00;C12M1/34 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市蘿*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 反應(yīng) 小室 制備 方法 | ||
1.一種測(cè)序反應(yīng)小室制備方法,包括下列步驟:
遮掩步驟,第一基片包括第一表面,第二基片包括朝向第一表面的第二表面,第二表面開(kāi)設(shè)凹槽,將第二基片凹槽底面或第一表面上對(duì)應(yīng)凹槽開(kāi)口范圍的區(qū)域定義為目標(biāo)區(qū)域,用物理方法對(duì)目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行遮掩;
第一等離子化步驟,對(duì)第一基片的第一表面未遮掩的區(qū)域進(jìn)行等離子化處理,將第一表面改性為親水表面;
第二等離子化步驟,對(duì)第二基片的第二表面未遮掩的區(qū)域進(jìn)行等離子化處理,將第二表面改性為親水表面;
鍵合步驟,移除遮掩,將第一基片的第一表面和第二基片的第二表面接觸鍵合,得鍵合產(chǎn)物;
硅烷化步驟,對(duì)鍵合產(chǎn)物中的目標(biāo)區(qū)域的相對(duì)表面進(jìn)行硅烷化,得測(cè)序反應(yīng)小室。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)序反應(yīng)小室制備方法,其特征在于,所述遮掩步驟使用遮掩裝置進(jìn)行遮掩;所述遮掩裝置包括壓緊裝置、壓塊和工作臺(tái);所述壓緊裝置包括移動(dòng)塊;所述壓塊設(shè)于移動(dòng)塊的下方,所述壓塊下部為彈性壓頭;所述工作臺(tái)位于壓塊下方,所述工作臺(tái)上設(shè)有基片放置位;所述彈性壓頭用于遮掩置于基片放置位上的基片的目標(biāo)區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的測(cè)序反應(yīng)小室制備方法,其特征在于,所述壓緊裝置還包括導(dǎo)柱和配重塊;所述導(dǎo)柱固設(shè)在工作臺(tái)上;所述移動(dòng)塊滑動(dòng)套設(shè)在導(dǎo)柱上,所述配重塊可拆卸地安裝在移動(dòng)塊上,所述移動(dòng)塊設(shè)有配重塊放置位,所述配重塊可拆卸安裝在配重塊放置位上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的測(cè)序反應(yīng)小室制備方法,其特征在于,所述壓塊可拆卸固定在移動(dòng)塊上,所述壓塊包括左壓塊、右壓塊和夾在左壓塊和右壓塊之間的彈性壓頭;所述左壓塊固定在移動(dòng)塊下部;所述右壓塊可拆卸的固定在左壓塊上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的測(cè)序反應(yīng)小室制備方法,其特征在于,所述彈性壓頭為橡膠或封口膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的測(cè)序反應(yīng)小室制備方法,其特征在于,所述左壓塊或右壓塊包括方條狀的承壓部和板狀的固定部,所述基片放置位包括基片限位臺(tái)階。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)序反應(yīng)小室制備方法,其特征在于,所述鍵合步驟具體為:通過(guò)貼合,將第一基片的第一表面與第二基片的第二表面接觸,進(jìn)而形成共價(jià)結(jié)合力緊密連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)序反應(yīng)小室制備方法,其特征在于,所述第一基片為上基片,第二基片為下基片。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)序反應(yīng)小室制備方法,其特征在于,所述第一基片為下基片,第二基片為上基片。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)序反應(yīng)小室制備方法,其特征在于,所述等離子化處理具體為將第一基片或第二基片置于混合有氧氣和惰性氣體的容器后經(jīng)紫外燈照射,或?qū)⒌谝换虻诙糜诨旌嫌醒鯕夂偷獨(dú)獾娜萜骱蠼?jīng)紫外燈照射。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的測(cè)序反應(yīng)小室制備方法,其特征在于,所述惰性氣體為氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣或氡氣。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)序反應(yīng)小室制備方法,其特征在于,所述硅烷化產(chǎn)物具有一反應(yīng)通道,所述硅烷化具體為將硅烷化試劑通入反應(yīng)通道,使鍵合產(chǎn)物中的目標(biāo)區(qū)域的相對(duì)表面浸泡在硅烷化試劑中進(jìn)行反應(yīng)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)序反應(yīng)小室制備方法,其特征在于,所述第二基片的材質(zhì)為PDMS;所述第一基片的材質(zhì)為玻璃。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)序反應(yīng)小室制備方法,其特征在于,在所述遮掩步驟前還包括清洗步驟,所述清洗步驟包括采用異丙醇對(duì)第一基片或第二基片進(jìn)行清洗。
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