[發明專利]雙重圖形化的方法

有效

• 申請號: 201610738863.8
• 申請日: 2016-08-26
• 公開（公告）號: CN107785252B
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 王彥;張城龍;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/308
• 分類號: H01L21/308
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;吳敏

1.一種雙重圖形化的方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括依次間隔排列的第一區域和第二區域，所述第二區域包括緊挨相鄰第一區域的第一子區域、以及位于相鄰第一子區域之間的第二子區域，其中，所述第一區域的基底上形成有核心層；

在所述核心層頂部和側壁上、以及第二區域的基底上形成側墻層，所述第一子區域的側墻層位于所述核心層側壁上，所述第二子區域的側墻層頂部低于所述核心層頂部，且所述第二子區域的側墻層底部低于所述核心層底部；

在所述第二子區域的側墻層上形成犧牲層，且所述犧牲層頂部高于所述核心層頂部或與所述核心層頂部齊平；

對所述犧牲層頂部以及側墻層頂部進行平坦化處理，去除高于所述核心層頂部的犧牲層以及側墻層，暴露出所述核心層頂部；

采用第一刻蝕工藝，刻蝕所述犧牲層以及核心層，使得剩余核心層頂部與所述第二子區域剩余犧牲層頂部齊平；

采用第二刻蝕工藝，刻蝕去除所述剩余核心層，且還刻蝕去除位于所述第二子區域的側墻層，暴露出所述第一區域基底以及第二子區域基底；

以所述第一子區域的側墻層為掩膜刻蝕所述基底，形成目標圖形。

2.如權利要求1所述的雙重圖形化的方法，其特征在于，在平行于所述基底表面方向上，所述第一區域的寬度尺寸與所述第二子區域的寬度尺寸相同。

3.如權利要求1所述的雙重圖形化的方法，其特征在于，所述第一刻蝕工藝中，刻蝕去除全部厚度的所述犧牲層，使得剩余核心層頂部與所述第二子區域側墻層頂部齊平。

4.如權利要求1所述的雙重圖形化的方法，其特征在于，所述第一刻蝕工藝中，刻蝕去除部分厚度的所述犧牲層，使得剩余核心層頂部與所述第二子區域剩余犧牲層頂部齊平。

5.如權利要求4所述的雙重圖形化的方法，其特征在于，在所述第一刻蝕工藝之后，所述第二子區域剩余犧牲層的厚度范圍為100埃～200埃。

6.如權利要求4所述的雙重圖形化的方法，其特征在于，所述第二刻蝕工藝中，在刻蝕去除位于所述第二子區域的側墻層之前，還刻蝕去除所述第二子區域的剩余犧牲層。

7.如權利要求1所述的雙重圖形化的方法，其特征在于，在進行所述第一刻蝕工藝之前，所述犧牲層頂部與所述核心層頂部齊平；所述第一刻蝕工藝刻蝕去除的犧牲層的厚度等于刻蝕去除的核心層的厚度。

8.如權利要求7所述的雙重圖形化的方法，其特征在于，所述第一刻蝕工藝對所述犧牲層以及核心層的刻蝕速率相同。

9.如權利要求1或8所述的雙重圖形化的方法，其特征在于，所述犧牲層的材料與所述核心層的材料相同。

10.如權利要求1所述的雙重圖形化的方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為無定形碳、BARC材料、ODL材料或DARC材料；所述核心層的材料為無定形碳、BARC材料、ODL材料或DARC材料。

11.如權利要求1所述的雙重圖形化的方法，其特征在于，所述側墻層的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅。

12.如權利要求1所述的雙重圖形化的方法，其特征在于，在形成所述核心層之后，所述第一區域基底表面高于所述第二區域基底表面；在刻蝕去除所述剩余核心層的工藝過程中，所述第二刻蝕工藝還刻蝕去除位于所述第一區域的部分厚度的基底，使得在所述第二刻蝕工藝之后，所述第一區域基底表面與所述第二子區域基底表面齊平。

13.如權利要求12所述的雙重圖形化的方法，其特征在于，所述第二刻蝕工藝對所述核心層、側墻層以及基底的刻蝕速率相同。