[發明專利]一種太陽能級多晶硅片表面處理方法

在審

• 申請號: 201610731965.7
• 申請日: 2016-08-26
• 公開（公告）號: CN107785455A
• 公開（公告）日: 2018-03-09
• 發明（設計）人: 包劍;余剛;張濤
• 申請（專利權）人: 鎮江榮德新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/304
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙)32249
• 代理人: 張耀文

技術領域

本發明涉及太陽能級半導體單晶硅片加工領域，尤其涉及一種太陽能級多晶硅片表面處理方法。

背景技術

在太陽能級半導體單晶硅片加工過程中，經線鋸開方生成的多晶硅片由于表面粗糙，且線痕嚴重，不能直接對其進行切片。

在對多晶硅片進行切片之前，需要先對多晶硅片表面的線痕進行處理，現有專利201110121543.5，公開了一種太陽能級多晶硅片表面處理方法，使用金鋼石磨輪對多晶硅片表面進行物理法機械研磨處理，以除去多晶硅片表面的線痕。然而在處理多晶硅片表面線痕時會在多晶硅片表面形成新的損傷層，容易導致切片后單晶硅片邊緣產生蹦邊等缺陷和不良，其采用堿腐蝕的方法對該損傷層進行腐蝕，但其在進行腐蝕時，容易造成硅片邊緣有腐蝕坑，使得硅片應力不集中，硬度較差。

發明內容

發明目的：為了克服現有技術中存在的不足，本發明提供一種硬度高，表面光滑的太陽能級多晶硅片表面處理方法。

技術方案：為實現上述目的，本發明采用的技術方案為：

一種太陽能級多晶硅片表面處理方法，包括以下步驟：

步驟1，采用粒度直徑在12-16nm的粗碳化硼對多晶硅片表面進行機械粗研磨；

步驟2，采用粒度直徑在1.5-2.5nm的細碳化硼對經過粗研磨的多晶硅片表面進行機械細研磨；

步驟3，將經過細研磨后的多晶硅片中放入拋光液中進行腐蝕拋光，去除步驟2中多晶硅片表面的研磨產生的損傷層；

步驟4，用強堿弱酸鹽對步驟3得到的多晶硅片表面表面殘留的拋光液中和掉；

步驟5，將步驟4得到的多晶硅片放入旋轉桶內進行邊緣拋光；

步驟6，用強堿弱酸鹽對步驟3得到的多晶硅片表面表面殘留的拋光液中和掉；

步驟7，對步驟6得到的多晶硅片進行清洗和烘干。

所述拋光液為硝酸、氫氟酸、磷酸的混合液。

優選的：所述硝酸、氫氟酸、醋酸的質量比為4.5：3.5：8。

優選的：所述步驟1中的粗研磨時間為20-30分鐘。

優選的：所述步驟2中的細研磨時間10-20分鐘。

優選的：所述步驟3中每面的腐蝕厚度在0.03-0.05毫米。

優選的：所述步驟5中旋轉桶內設置有拋光襯墊和拋光液。

有益效果：本發明提供的一種太陽能級多晶硅片表面處理方法方法對經線鋸切割生成的多晶硅片表面進行處理，不僅通過機械研磨消除了切割留下的線痕，而且通過拋光液蝕除去了多晶硅片表面的損傷層，另外對多晶硅片進行邊緣拋光，使得其應力集中，硅片更為堅固。

具體實施方式

下面結合具體實施例，進一步闡明本發明，應理解這些實例僅用于說明本發明而不用于限制本發明的范圍，在閱讀了本發明之后，本領域技術人員對本發明的各種等價形式的修改均落于本申請所附權利要求所限定的范圍。

實施例1

一種太陽能級多晶硅片表面處理方法，包括以下步驟：

步驟1，采用粒度直徑在12nm的粗碳化硼對多晶硅片表面進行機械粗研磨；粗研磨時間為30分鐘。

步驟2，采用粒度直徑在2.5nm的細碳化硼對經過粗研磨的多晶硅片表面進行機械細研磨；細研磨時間10分鐘。

步驟3，將經過細研磨后的多晶硅片中放入拋光液中進行腐蝕拋光，去除步驟2中多晶硅片表面的研磨產生的損傷層；所述拋光液為硝酸、氫氟酸、磷酸的混合液。所述硝酸、氫氟酸、醋酸的質量比為4.5：3.5：8。每面的腐蝕厚度在0.05毫米。

步驟4，用強堿弱酸鹽對步驟3得到的多晶硅片表面表面殘留的拋光液中和掉；

步驟5，將步驟4得到的多晶硅片放入旋轉桶內進行邊緣拋光；旋轉桶內設置有拋光襯墊和拋光液，完成對多晶硅片的邊緣拋光。

步驟6，用強堿弱酸鹽對步驟3得到的多晶硅片表面表面殘留的拋光液中和掉；

步驟7，對步驟6得到的多晶硅片進行清洗和烘干。

實施例2。

一種太陽能級多晶硅片表面處理方法，包括以下步驟：

步驟1，采用粒度直徑在16nm的粗碳化硼對多晶硅片表面進行機械粗研磨；粗研磨時間為20分鐘。

步驟2，采用粒度直徑在1.5nm的細碳化硼對經過粗研磨的多晶硅片表面進行機械細研磨；細研磨時間20分鐘。