[發明專利]一種太陽能級多晶硅片表面處理方法在審
| 申請號： | 201610731965.7 | 申請日： | 2016-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN107785455A | 公開（公告）日： | 2018-03-09 |
| 發明（設計）人： | 包劍;余剛;張濤 | 申請（專利權）人： | 鎮江榮德新能源科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L21/304 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙)32249 | 代理人： | 張耀文 |
| 地址： | 212200 江蘇省鎮*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 太陽 能級 多晶 硅片 表面 處理 方法 | ||
1.一種太陽能級多晶硅片表面處理方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1，采用粒度直徑在12-16nm的粗碳化硼對多晶硅片表面進行機械粗研磨；
步驟2，采用粒度直徑在1.5-2.5nm的細碳化硼對經過粗研磨的多晶硅片表面進行機械細研磨；
步驟3，將經過細研磨后的多晶硅片中放入拋光液中進行腐蝕拋光，去除步驟2中多晶硅片表面的研磨產生的損傷層；所述拋光液為硝酸、氫氟酸、磷酸的混合液；
步驟4，用強堿弱酸鹽對步驟3得到的多晶硅片表面表面殘留的拋光液中和掉；
步驟5，將步驟4得到的多晶硅片放入旋轉桶內進行邊緣拋光；
步驟6，用強堿弱酸鹽對步驟3得到的多晶硅片表面表面殘留的拋光液中和掉；
步驟7，對步驟6得到的多晶硅片進行清洗和烘干。
2.根據權利要求1所述的太陽能級多晶硅片表面處理方法，其特征在于：所述硝酸、氫氟酸、醋酸的質量比為4.5：3.5：8。
3.根據權利要求1所述的太陽能級多晶硅片表面處理方法，其特征在于：所述步驟1中的粗研磨時間為20-30分鐘。
4.根據權利要求1所述的太陽能級多晶硅片表面處理方法，其特征在于：所述步驟2中的細研磨時間10-20分鐘。
5.根據權利要求1所述的太陽能級多晶硅片表面處理方法，其特征在于：所述步驟3中每面的腐蝕厚度在0.03-0.05毫米。
6.根據權利要求1所述的太陽能級多晶硅片表面處理方法，其特征在于：所述步驟5中旋轉桶內設置有拋光襯墊和拋光液。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
