[發明專利]一種太陽能級多晶硅片表面處理方法

在審

• 申請號: 201610731965.7
• 申請日: 2016-08-26
• 公開（公告）號: CN107785455A
• 公開（公告）日: 2018-03-09
• 發明（設計）人: 包劍;余剛;張濤
• 申請（專利權）人: 鎮江榮德新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/304
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙)32249
• 代理人: 張耀文

1.一種太陽能級多晶硅片表面處理方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1，采用粒度直徑在12-16nm的粗碳化硼對多晶硅片表面進行機械粗研磨；

步驟2，采用粒度直徑在1.5-2.5nm的細碳化硼對經過粗研磨的多晶硅片表面進行機械細研磨；

步驟3，將經過細研磨后的多晶硅片中放入拋光液中進行腐蝕拋光，去除步驟2中多晶硅片表面的研磨產生的損傷層；所述拋光液為硝酸、氫氟酸、磷酸的混合液；

步驟4，用強堿弱酸鹽對步驟3得到的多晶硅片表面表面殘留的拋光液中和掉；

步驟5，將步驟4得到的多晶硅片放入旋轉桶內進行邊緣拋光；

步驟6，用強堿弱酸鹽對步驟3得到的多晶硅片表面表面殘留的拋光液中和掉；

步驟7，對步驟6得到的多晶硅片進行清洗和烘干。

2.根據權利要求1所述的太陽能級多晶硅片表面處理方法，其特征在于：所述硝酸、氫氟酸、醋酸的質量比為4.5：3.5：8。

3.根據權利要求1所述的太陽能級多晶硅片表面處理方法，其特征在于：所述步驟1中的粗研磨時間為20-30分鐘。

4.根據權利要求1所述的太陽能級多晶硅片表面處理方法，其特征在于：所述步驟2中的細研磨時間10-20分鐘。

5.根據權利要求1所述的太陽能級多晶硅片表面處理方法，其特征在于：所述步驟3中每面的腐蝕厚度在0.03-0.05毫米。

6.根據權利要求1所述的太陽能級多晶硅片表面處理方法，其特征在于：所述步驟5中旋轉桶內設置有拋光襯墊和拋光液。