[發明專利]半導體封裝件及其形成方法

在審

• 申請號: 201610730201.6
• 申請日: 2016-08-26
• 公開（公告）號: CN106711131A
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 高金福;符策忠;林俊成
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/48;H01L21/98
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,李偉

1.一種半導體封裝件，包括：

第一器件，具有第一連接表面；

第一導電組件，至少部分地從所述第一連接表面突出；

第二器件，具有面向所述第一連接表面的第二連接表面；以及

第二導電組件，至少從所述第二連接表面暴露出，

其中，所述第一導電組件和所述第二導電組件形成具有第一喙輪廓的接頭，所述第一喙輪廓具有位于所述接頭的第一側處的尖端，所述尖端指向所述第一連接表面或所述第二連接表面。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，從由半導體晶圓和半導體芯片組成的組選擇所述第一器件。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝件，其中，從由半導體晶圓和半導體芯片組成的組選擇所述第二器件。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述第一導電組件是電介質通孔(TDV)或硅通孔(TSV)。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，從截面觀察的所述第一導電組件的寬度和所述第二導電組件的寬度是不同的。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，從截面觀察的所述第一導電組件的寬度低于25微米。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述第一導電組件是位于所述第一連接表面上的接觸焊盤。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝件，還包括位于所述第一連接表面和所述第二連接表面之間的底部填充物。

9.一種用于制造半導體封裝件的方法，包括：

提供具有第一連接表面和至少部分地從所述第一連接表面突出的第一導電組件的第一器件；

提供具有第二連接表面和至少從所述第二連接表面暴露出的第二導電組件的第二器件；

對所述第一導電組件或所述第二導電組件實施蝕刻以獲得所述第一導電組件或所述第二導電組件的不平坦的頂面；以及

連接所述第一導電組件和所述第二導電組件。

10.一種用于制造混合接合的半導體封裝件的方法，包括：

提供具有第一連接表面和至少部分地從所述第一連接表面突出的第一導電組件的第一器件；

提供具有第二連接表面和至少從所述第二連接表面暴露出的第二導電組件的第二器件；

對所述第一導電組件或所述第二導電組件實施蝕刻以獲得位于所述第一導電組件的頂面或所述第二導電組件的頂面上方的至少一個尖端；

在恒溫下連接所述第一導電組件和所述第二導電組件。