[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其形成方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610729667.4 | 申請(qǐng)日： | 2016-08-26 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN106887455B | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-04-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 方琮閔;王智麟;郭康民 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L29/423 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李偉 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 結(jié)構(gòu) 及其 形成 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括：
襯底，所述襯底具有第一源極區(qū)域、第二源極區(qū)域、第一漏極區(qū)域和第二漏極區(qū)；
第一柵極結(jié)構(gòu)，所述第一柵極結(jié)構(gòu)位于所述襯底上方并且介于所述第一源極區(qū)域和所述第一漏極區(qū)域之間，其中，所述第一柵極結(jié)構(gòu)在從所述第一源極區(qū)域到所述第一漏極區(qū)域的方向上具有第一長(zhǎng)度；以及
第二柵極結(jié)構(gòu)，所述第二柵極結(jié)構(gòu)位于所述襯底上方并且介于所述第二源極區(qū)域和所述第二漏極區(qū)域之間，其中，所述第二柵極結(jié)構(gòu)在從所述第二源極區(qū)域到所述第二漏極區(qū)域的方向上具有第二長(zhǎng)度，所述第一柵極結(jié)構(gòu)的第一厚度大于所述第二柵極結(jié)構(gòu)的第二厚度，所述第一柵極結(jié)構(gòu)的第一長(zhǎng)度等于所述第二柵極結(jié)構(gòu)的第二長(zhǎng)度，并且所述第一柵極結(jié)構(gòu)的第一柵極寬度小于所述第二柵極結(jié)構(gòu)的第二柵極寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二柵極結(jié)構(gòu)由相同的材料制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二柵極結(jié)構(gòu)包括多晶硅材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，還包括：
掩模層，所述掩模層具有彼此隔離的第一部分和第二部分，其中，所述第一部分位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)上方，并且所述第二部分位于所述第二柵極結(jié)構(gòu)上方。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，還包括：
第一間隔件，所述第一間隔件圍繞所述第一柵極結(jié)構(gòu)并且圍繞所述掩模層的所述第一部分；以及
第二間隔件，所述第二間隔件圍繞所述第二柵極結(jié)構(gòu)并且圍繞所述掩模層的所述第二部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述第一間隔件的第三厚度大于所述第二間隔件的第四厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述第一部分的第一頂面未與所述第二部分的第二頂面對(duì)準(zhǔn)。
8.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括：
襯底，所述襯底具有第一源極區(qū)域、第二源極區(qū)域、第一漏極區(qū)域和第二漏極區(qū)域；
第一柵極堆疊件，所述第一柵極堆疊件位于所述襯底上方并且介于所述第一源極區(qū)域和所述第一漏極區(qū)域之間，其中，所述第一柵極堆疊件在從所述第一源極區(qū)域到所述第一漏極區(qū)域的方向上具有第一長(zhǎng)度；
第二柵極堆疊件，所述第二柵極堆疊件位于所述襯底上方并且介于所述第二源極區(qū)域和所述第二漏極區(qū)域之間，其中，所述第二柵極堆疊件在從所述第二源極區(qū)域到所述第二漏極區(qū)域的方向上具有第二長(zhǎng)度，并且所述第一柵極堆疊件的第一長(zhǎng)度等于所述第二柵極堆疊件的第二長(zhǎng)度，所述第一柵極堆疊件的第一柵極寬度小于所述第二柵極堆疊件的第二柵極寬度；
第一間隔件，所述第一間隔件圍繞所述第一柵極堆疊件；以及
第二間隔件，所述第二間隔件圍繞所述第二柵極堆疊件，其中，所述第一間隔件的第一厚度大于所述第二間隔件的第二厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述第一間隔件覆蓋所述第一柵極堆疊件的整個(gè)第一側(cè)壁，并且所述第二間隔件僅覆蓋所述第二柵極堆疊件的第二側(cè)壁的一部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述第一柵極堆疊件的第三厚度等于所述第二柵極堆疊件的第四厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述第二柵極堆疊件的所述第四厚度大于所述第二間隔件的所述第二厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述第一柵極堆疊件的第一頂面與所述第二柵極堆疊件的第二頂面對(duì)準(zhǔn)。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述第二間隔件暴露所述第二柵極堆疊件的第二側(cè)壁的一部分。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類(lèi)型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
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