[發明專利]板形電子部件和包含此的靜電卡盤在審
| 申請號: | 201610717071.2 | 申請日: | 2016-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN106971971A | 公開(公告)日: | 2017-07-21 |
| 發明(設計)人: | 朱鎮卿;李澤正;徐庸原;金斗永;洪政吾 | 申請(專利權)人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H02N13/00 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司11286 | 代理人: | 孫昌浩,李盛泉 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子 部件 包含 靜電 卡盤 | ||
技術領域
本發明涉及一種被用在吸附晶圓等的機構的靜電卡盤中使用的板形電子部件以及包括該板形電子部件的靜電卡盤,尤其涉及一種將鎳(Ni)金屬作為內部電極而包含的高電阻靜電卡盤用電子部件和包含此的靜電卡盤。
背景技術
在鋁等陶瓷電介質基板之間插入電極并燒制而制造的靜電卡盤通過向內置的電極施加靜電吸附用電力而利用靜電力吸附硅晶圓等基板。
這種靜電卡盤的種類有高電阻卡盤和低電阻卡盤,其根據陶瓷電介質的電阻率而被區分。通常,將1×1015Ω·cm以上的電阻率分類為高電阻卡盤,并將1×1012Ω·cm~1×1013Ω·cm的電阻率分類為低電阻卡盤。對于高電阻卡盤而言,對卡盤(chuck)和晶圓(wafer)表面粗度差的敏感度不高,從而具有均勻的斥力,相反,對于低電阻卡盤而言,存在因約翰遜-拉別克效應(Johnsen-Rahbek mode)而導致根據表面粗度差的斥力不均勻的問題,因此最近的開發方向朝高電阻卡盤的方向進行。
通常,作為這種高電阻靜電卡盤的內部電極而使用鎢(W)、鉬(Mo)等金屬,然而上述金屬對靜電卡盤的均一性(uniformity)的改善有著一定的限制。
下述的專利文獻1公開一種利用庫侖力的高電阻靜電卡盤,其為了維持靜電卡盤的吸附力并減少貼附在基板的顆粒而控制了靜電卡盤的表面粗度和接觸面積,結果,在一定程度上改善了靜電卡盤的均一性,但是沒有公開通過將高電阻靜的電卡盤內部電極從目前使用的金屬改變成其他金屬而改善均一性的根本的嘗試。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
(專利文獻1)日本公開專利公報第2007-173596號
發明內容
本發明的目的在于,提供一種利用鎳(Ni)金屬來代替包含主要被用作靜電卡盤的內部電極的鎢(W)、鉬(Mo)等金屬的板形電子部件和包含該板形電子部件的高電阻靜電卡盤。
根據本發明的一實施例的板形電子部件包括:主體以及布置在所述主體內的內部電極。
所述主體是包含氧化鋁(Al2O3)的陶瓷主體,所述內部電極包含作為主要成分的鎳(Ni)。
根據本發明的另一實施例的靜電卡盤包括:基底(base),包括電極連接器(electrode connector);以及板形電子部件,布置在所述基底上。在此情況下,所述板形電子部件包括連接到內部電極的電極孔,所述電極孔可以連接到所述電極連接器,
并且,靜電卡盤中包括的所述板形電子部件包括主體以及布置在所述主體內的內部電極,所述主體是包含氧化鋁(Al2O3)的陶瓷主體,所述內部電極包含作為主要成分的鎳(Ni)。
根據本發明的一實施例,提供一種改善內部電極的連接性的板形電子部件和包括此的靜電卡盤。
根據本發明的一實施例,提供一種能夠在大約1350℃的相對低的溫度下燒制的板形電子部件和包括此的靜電卡盤。
根據本發明的一實施例,提供一種能夠均勻地控制表面粗度的板形電子部件和包括此的靜電卡盤。
根據本發明的一實施例,提供一種改善機械強度的板形電子部件和包括此的靜電卡盤。
根據本發明的一實施例,提供一種因減少了高價金屬材料的使用而在經濟上有利的板形電子部件和包括此的靜電卡盤。
附圖說明
圖1是根據本發明的一實施例的板形電子部件的概略剖面圖。
圖2a是概略地示出現有板形電子部件內的內部電極(鎢)的概略的剖面微細結構和內部電極內的組成的分布的光譜。
圖2b是根據本發明的一實施例的板形電子部件內的內部電極(Ni)的概略的剖面微細結構圖。
圖3是概略地示出根據本發明的一實施例的板形電子部件的制造工藝的一實施例的順序圖。
圖4示出根據本發明的一實施例的板形電子部件表面的微細結構SEM照片。
圖5示出將根據一實施例的板形電子部件的表面和現有板形電子部件的表面進行比較的微細結構分析照片。
圖6是包括根據本發明的又一實施例的板形電子部件的靜電卡盤的概略的剖面圖。
符號說明
100:板形電子部件1:主體
2:內部電極200:靜電卡盤
211:電極連接器(electrode connector)
21:基底
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





