[發(fā)明專利]一種有機發(fā)光器件的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610692105.7
• 申請日: 2016-08-22
• 公開（公告）號: CN106207014B
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 廖良生;王照奎;張磊;周東營
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州大學(xué)
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司32200
• 代理人: 曹毅

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，尤其涉及一種有機發(fā)光器件的制備方法。

背景技術(shù)

有機電致發(fā)光二極管（OLED）被認為是“夢幻顯示”。 目前，OLED已經(jīng)成功應(yīng)用于智能手機、手表以及平板電腦等電子產(chǎn)品。

OLED是一種自發(fā)光器件，通過在一對電極間夾著功能層且施加電壓，從電子傳輸層注入的電子和空穴傳輸層注入的空穴在發(fā)光層復(fù)合形成激子，并且該激子在回到基態(tài)時發(fā)出可見光。為了提升OLED器件的性能，OLED經(jīng)歷了從熒光發(fā)光、磷光發(fā)光到延遲熒光發(fā)光的演化過程。目前OLED的器件可以達到很高的效率。要想進一步提升OLED器件的效率以及實用性，需要OLED具有更低的驅(qū)動電壓。同時OLED的器件的壽命還有待進一步提高。壽命的短板制約著OLED的產(chǎn)業(yè)化進程。

目前可以通過空穴傳輸層的p型摻雜（比如在空穴傳輸材料NPB中摻雜MoO₃或者F4-TCNQ），達到提高空穴傳輸性能以及空穴注入能力的目的。摻雜之后的器件驅(qū)動電壓有很大的降低。但是在增強空穴注入傳輸能力的同時，會帶來空穴電子不平衡的問題，使得OLED器件無法發(fā)揮最大性能。

如果我們同時在電子傳輸層引入n型摻雜（比如在電子傳輸材料TPBi中摻雜Li或者CsCO₃），可以提高電子傳輸以及注入能力。同時具有p型和n型摻雜的器件驅(qū)動電壓有進一步的降低，而且激子復(fù)合更加平衡，器件效率進一步提升。

然而由于n型摻雜的客體摻雜比率很小，很難在工業(yè)生產(chǎn)中長期控制它的比率，而且使用的摻雜劑Li或者CsCO₃對從Al電極透過的水氣十分敏感，容易造成器件的發(fā)光退化。

要想解決這些問題，可以在n型電子注入層之上加入一層保護層，將不穩(wěn)定的摻雜材料Li或CsCO₃和Al電極隔絕開，同時還不影響電子的注入和傳輸。這種保護層的選擇就變得非常關(guān)鍵。

發(fā)明內(nèi)容

解決的技術(shù)問題：針對現(xiàn)有的有機磷光器件壽命短、效率低的缺點，本發(fā)明提供一種有機發(fā)光器件的制備方法，用該制備方法制備得到的有機發(fā)光器件效率高、電壓低、工作壽命長。

技術(shù)方案：一種有機發(fā)光器件的制備方法，該方法的制備步驟如下：

第一步：將ITO透明導(dǎo)電玻璃基片在清洗劑中超聲處理后，進行清洗，再烘烤至干燥，然后用紫外燈和臭氧進行處理，再把處理過的ITO透明導(dǎo)電玻璃基片置于真空腔內(nèi)，抽真空至3.0×10^-4～4.0×10^-4Pa；

第二步：在ITO透明導(dǎo)電玻璃基片上采用雙源蒸鍍的方法蒸鍍混合物A，形成具備空穴注入以及傳輸性能的p型功能層，其中混合物A由摻雜劑和主體材料NPB組成，摻雜劑為MoO₃或F4-TCNQ，蒸鍍速率為0.3 ?/s，鍍膜厚度為45 nm；

第三步：在p型功能層上蒸鍍由TAPC或TCTA形成的電子阻擋層，其中蒸鍍速率為2?/s，鍍膜厚度為14 nm；

第四步：在電子阻擋層上采用雙源蒸鍍的方法，將TPBi作為主體材料，PO-01或者Ir(MDQ)₂(acac)作為染料制備有機發(fā)光層，其中蒸鍍速率為2?/s，鍍膜厚度為15 nm；

第五步：在有機發(fā)光層上蒸鍍TPBi，形成具有空穴阻擋和電子傳輸作用的電子傳輸層，其中蒸鍍速率為2 ?/s，鍍膜厚度為15 nm；

第六步：在電子傳輸層上采用雙源蒸鍍的方法蒸鍍混合物B，形成具備電子注入以及傳輸性能的n型功能層，其中混合物B由摻雜劑Li和主體材料TPBi組成，蒸鍍速率為2 ?/s，鍍膜厚度為10 nm；

第七步：在n型功能層上采用雙源蒸鍍的方法蒸鍍混合物C，形成具備空穴注入以及傳輸性能的p’型功能層，其中化合物C由摻雜劑和主體材料NPB組成，摻雜劑為MoO₃或F4-TCNQ，蒸鍍速率為2 ?/s，鍍膜厚度為35 nm；

第八步：在p’型功能層上真空蒸鍍Al層，形成陰極，即得有機發(fā)光器件，其中Al層的厚度為100nm。

上述所述的第一步中清洗的步驟為先用去離子水沖洗，再依次用去離子水、丙酮、乙醇反復(fù)清洗三次。

上述所述的第一步中將真空腔內(nèi)的真空抽至3.0×10^-4Pa。

上述所述的第二步中將NPB作為主體材料，MoO₃或F4-TCNQ作為摻雜劑制備p型功能層時，MoO₃的摻雜濃度為20 vol.%；F4-TCNQ的摻雜濃度為3 vol.%。