[發明專利]鰭式場效晶體管結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201610689119.3
• 申請日: 2016-08-19
• 公開（公告）號: CN106711143B
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 張哲誠;林志翰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/8234;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底；

位于所述半導體襯底上的停止層；

位于所述停止層上的半導體鰭；以及

位于所述半導體鰭上的彼此鄰近的兩個單元，所述半導體鰭在所述兩個單元共用的共同邊界處具有鰭隔離結構，所述鰭隔離結構具有從所述半導體鰭的頂部延伸至所述停止層的氣隙，其中，所述氣隙將所述半導體鰭分為所述半導體鰭的兩部分，所述鰭隔離結構包括覆蓋所述氣隙的頂部的介電覆蓋層，

所述鰭隔離結構進一步包括兩個偽柵極間隔件，所述兩個偽柵極間隔件分別位于所述半導體鰭的所述兩部分上且夾住所述介電覆蓋層，所述氣隙與所述半導體鰭的兩部分直接接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述半導體鰭的所述兩部分以在從5nm至50nm的范圍內的距離隔開。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述介電覆蓋層包括氧化硅或氮化硅。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述停止層包括SiGeO_x、SiGe、SiO_x、SiP或SiPO_x，其中，x大于0。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述停止層具有在從1nm至50nm的范圍內的厚度。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述氣隙具有位于所述停止層上的第一氣隙以及位于所述第一氣隙之上的第二氣隙，以及所述第一氣隙的底部的寬度大于所述第二氣隙的底部的寬度。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述氣隙從所述半導體鰭的頂部穿過所述停止層延伸至所述半導體襯底的部分。

8.根據權利要求5所述的半導體器件，其中，所述氣隙具有被圓弧面環繞的平坦的底面，以及所述氣隙的所述平坦的底面的寬度小于所述介電覆蓋層的頂部的寬度。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述氣隙在所述偽柵極間隔件的部分之間延伸。

10.一個半導體器件，包括：

半導體襯底：

位于所述半導體襯底上的停止層；以及

位于所述停止層上的半導體鰭，所述半導體鰭的兩個相對端的每個端均具有鰭隔離結構，所述鰭隔離結構具有從所述半導體鰭的頂部延伸至所述停止層的氣隙，其中，所述氣隙將所述半導體鰭分為所述半導體鰭的兩部分，所述鰭隔離結構包括覆蓋所述氣隙的頂部的介電覆蓋層，

所述鰭隔離結構進一步包括兩個偽柵極間隔件，所述兩個偽柵極間隔件分別位于所述半導體鰭的所述兩部分上且夾住所述介電覆蓋層，所述氣隙與所述半導體鰭的兩部分直接接觸。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其中，所述半導體鰭的所述兩部分以在從5nm至50nm的范圍內的距離隔開。

12.根據權利要求10所述的半導體器件，其中，所述停止層具有在從1nm至50nm的范圍內的厚度。

13.根據權利要求10所述的半導體器件，其中，所述氣隙具有位于所述停止層上的第一氣隙以及位于所述第一氣隙之上的第二氣隙，以及所述第一氣隙的底部的寬度大于所述第二氣隙的底部的寬度。

14.根據權利要求10所述的半導體器件，其中，所述氣隙從所述半導體鰭的頂部穿過所述停止層延伸至所述半導體襯底的部分。

15.根據權利要求14所述的半導體器件，其中，所述氣隙具有被圓弧面環繞的平坦的底面，以及所述氣隙的所述平坦的底面的寬度小于所述介電覆蓋層的頂部的寬度。