[發明專利]靶材組件的制造方法

有效

• 申請號: 201610685451.2
• 申請日: 2016-08-18
• 公開（公告）號: CN107755837B
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 姚力軍;潘杰;相原俊夫;王學澤;段高林
• 申請（專利權）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: B23K1/00
• 分類號: B23K1/00;B23K1/19;B23K1/20
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;吳敏

1.一種靶材組件的制造方法，其特征在于，包括：

提供碳化硅靶坯和背板，所述碳化硅靶坯具有用于與所述背板相連接的第一面，所述背板具有用于與所述碳化硅靶坯相連的第二面；

提供銦焊料；

采用銦焊料，通過釬焊的方式使所述第一面和所述第二面焊接相連；

其中，提供碳化硅靶坯和背板的步驟中，所述背板內具有一凹槽以容納所述碳化硅靶坯，所述凹槽的底面為所述第二面，所述凹槽在平行所述第二面的截面內的尺寸大于所述碳化硅靶坯在平行所述第一面的截面內的尺寸；

其中，采用釬焊的方式使所述第一面和所述第二面焊接相連的步驟包括：

加熱所述碳化硅靶坯和所述背板，使所述碳化硅靶坯和所述背板達到并維持工藝溫度；

將所述銦焊料分別設置于所述第一面和所述第二面上，并使所述第一面上的銦焊料和所述第二面上的銦焊料熔化；

對所述第一面上的銦焊料和所述第二面上的銦焊料分別進行浸潤處理，使所述第一面上的銦焊料均勻分散，形成第一焊料層，使所述第二面上的銦焊料均勻分散，形成第二焊料層；

將所述第一面和所述第二面相對設置并貼合，使所述第一焊料層和所述第二焊料層形成連接層，形成初始組件；

對所述初始組件進行加壓冷卻，形成所述靶材組件；

其中，形成第一焊料層的步驟包括：去除表面部分厚度的所述銦焊料，使形成的所述第一焊料層具有第一預設厚度，所述第一預設厚度在0.1mm到0.2mm范圍內；

其中，形成第二焊料層的步驟包括：去除表面部分厚度的所述銦焊料，使形成的所述第二焊料層具有第二預設厚度，所述第二預設厚度在所述凹槽深度的80％到90％范圍內。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述碳化硅靶坯中碳化硅的質量百分比在99.99％以上，碳和硅的原子比在1:0.9到1:1.1范圍內。

3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述背板的材料為無氧銅、銅鋅合金或銅鉻合金。

4.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，提供銦焊料的步驟中，所述銦焊料的純度大于或等于99.99％。

5.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，加熱所述碳化硅靶坯和所述背板的步驟中，所述工藝溫度在200攝氏度到220攝氏度范圍內。

6.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，對所述第一面上的銦焊料和所述第二面上的銦焊料分別進行浸潤處理的步驟包括：采用鋼刷或超聲波儀器對所述第一面上的銦焊料和所述第二面上的銦焊料分別進行浸潤處理。

7.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，對所述第一面上的銦焊料和所述第二面上的銦焊料分別進行浸潤處理的步驟中，所述第一焊料層和所述第二焊料層表面分別形成有氧化層；

形成所述第一焊料層之后，將所述第一面和所述第二面相對設置并貼合之前，所述制造方法還包括：去除所述第一焊料層表面的氧化層；

形成所述第二焊料層之后，將所述第一面和所述第二面相對設置并貼合之前，所述制造方法還包括：去除所述第二焊料層表面的氧化層。

8.如權利要求7所述的制造方法，其特征在于，去除所述第一焊料層表面的氧化層的步驟包括：去除表面部分厚度的所述第一焊料層，以去除所述第一焊料層表面的氧化層；

去除所述第二焊料層表面的氧化層的步驟包括：去除表面部分厚度的所述第二焊料層，以去除所述第二焊料層表面的氧化層。

9.如權利要求8所述的制造方法，其特征在于，

去除表面部分厚度的所述第一焊料層的步驟中，剩余所述第一焊料層的厚度大于0.1mm；

去除表面部分厚度的所述第二焊料層的步驟中，剩余所述第二焊料層的厚度大于所述凹槽深度的80％。