[發明專利]靶材組件的制造方法

有效

• 申請號: 201610685451.2
• 申請日: 2016-08-18
• 公開（公告）號: CN107755837B
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 姚力軍;潘杰;相原俊夫;王學澤;段高林
• 申請（專利權）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: B23K1/00
• 分類號: B23K1/00;B23K1/19;B23K1/20
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;吳敏

一種靶材組件的制造方法，包括：提供碳化硅靶坯和背板，所述碳化硅靶坯具有用于與所述背板相連接的第一面，所述背板具有用于與所述碳化硅靶坯相連的第二面；提供銦焊料；采用銦焊料，通過釬焊的方式使所述第一面和所述第二面焊接相連。本發明技術方案采用銦焊料使所述碳化硅靶坯和所述背板焊接相連，形成靶材組件。與現有技術中采用的焊料相比，銦焊料在冷卻固化后，硬度較小，較容易產生塑性形變，在所述碳化硅靶坯和所述背板之間具有一定的緩沖作用，有利于減少碳化硅靶坯碎裂現象的出現，提高制造碳化硅靶材組件的良率，使所述碳化硅靶坯和所述背板之間的焊接結合率大于95％。

技術領域

本發明涉及靶材制造領域，特別涉及一種靶材組件的制造方法。

背景技術

磁控濺射是一種利用帶電粒子轟擊靶材，使靶材原子從表面溢出并均勻沉積在基片上的鍍膜工藝。磁控濺射具有濺射率高、基片溫度低、基片與膜層之間結合力好和優異的膜層均勻性等優勢。磁控濺射技術已經被廣泛應用于集成電路、信息存儲設備、液晶顯示屏、激光存儲器、電子控制器件等電子以及信息產業的制造過程中。

隨著電子產業高速發展，如集成電路制造過程中，芯片基片尺寸不斷提高，而電子器件尺寸不斷減小，集成電路電子器件集成度隨之提高，制造技術對磁控濺射技術的工藝要求越來越嚴格。

磁控濺射過程中所使用靶材的質量是影響磁控濺射鍍膜質量的關鍵因素之一。所以對于濺射靶材的質量要求高于傳統材料行業的質量要求。濺射靶材的一般質量要求主要包括對于尺寸、平整度、純度、成分含量、密度，晶粒尺寸與缺陷控制等方面的要求；此外，在面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成分與組織均勻性、異物(氧化物)含量與尺寸、導磁率、超高密度與超細晶粒等方面，濺射靶材具有更高的質量要求或者特殊的質量要求。

在濺射靶材制造領域中，靶材組件是由符合濺射性能的靶坯、與靶坯通過焊接相結合的背板構成。其中，碳化硅靶材組件是一種比較典型的半導體靶材。一般來說，碳化硅靶材組件通常是采用碳化硅靶坯以及金屬背板構成。

但是現有技術中所形成的碳化硅靶材組件制造的良率較低。

發明內容

本發明解決的問題是提供一種靶材組件的制造方法，以提高碳化硅靶材組件制造良率。

為解決上述問題，本發明提供一種靶材組件的制造方法，包括：

提供碳化硅靶坯和背板，所述碳化硅靶坯具有用于與所述背板相連接的第一面，所述背板具有用于與所述碳化硅靶坯相連的第二面；提供銦焊料；采用銦焊料，通過釬焊的方式使所述第一面和所述第二面焊接相連。

可選的，所述碳化硅靶坯中碳化硅的質量百分比在99.99％以上，碳和硅的原子比在1:0.9到1:1.1范圍內。

可選的，所述背板的材料為無氧銅、銅鋅合金或銅鉻合金。

可選的，提供銦焊料的步驟中，所述銦焊料的純度大于或等于99.99％。

可選的，采用釬焊的方式使所述第一面和所述第二面焊接相連的步驟包括：加熱所述碳化硅靶坯和所述背板，使所述碳化硅靶坯和所述背板達到并維持工藝溫度；將所述銦焊料分別設置于所述第一面和所述第二面上，并使所述第一面上的銦焊料和所述第二面上的銦焊料熔化；對所述第一面上的銦焊料和所述第二面上的銦焊料分別進行浸潤處理，使所述第一面上的銦焊料均勻分散，形成第一焊料層，使所述第二面上的銦焊料均勻分散，形成第二焊料層；將所述第一面和所述第二面相對設置并貼合，使所述第一焊料層和所述第二焊料層形成連接層，形成初始組件；對所述初始組件進行加壓冷卻，形成所述靶材組件。

可選的，加熱所述碳化硅靶坯和所述背板的步驟中，所述工藝溫度在200攝氏度到220攝氏度范圍內。

可選的，對所述第一面上的銦焊料和所述第二面上的銦焊料分別進行浸潤處理的步驟包括：采用鋼刷或超聲波儀器對所述第一面上的銦焊料和所述第二面上的銦焊料分別進行浸潤處理。