[發明專利]評估加工件特性的方法、加工件及形成光感層的方法

有效

• 申請號: 201610683307.5
• 申請日: 2016-08-18
• 公開（公告）號: CN106711056B
• 公開（公告）日: 2019-11-29
• 發明（設計）人: 莊國勝;周友華
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L23/544
• 代理公司: 11006 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種評估離子植布加工件特性的方法，其特征在于，包含：

在基材上形成光感層，以形成加工件，所述的光感層包含光感材料；

在所述的加工件上進行離子植布；

對所述的加工件進行輻射，使得光源均勻散布在所述的加工件；以及

基于輻射中穿過所述的加工件的穿透光，計算所述的加工件的光學強度分布圖。

2.如權利要求1所述的評估離子植布加工件特性的方法，其特征在于，在所述的加工件上進行離子植布包含：

改變所述的光感材料的化學結構。

3.如權利要求2所述的評估離子植布加工件特性的方法，其特征在于，計算所述的加工件的光學強度分布圖包含：

測量所述的光感材料的折射系數差值。

4.如權利要求2所述的評估離子植布加工件特性的方法，其特征在于，還包含：

通過加熱恢復所述的光感材料的化學結構。

5.如權利要求1所述的評估離子植布加工件特性的方法，其特征在于，還包含：

通過用來移除聚合物的化學物質移除所述的光感層。

6.如權利要求1所述的評估離子植布加工件特性的方法，其特征在于，對所述的加工件進行輻射包含：

將所述的加工件置于光源與測量儀基質之間；

測量儀基質接收所述的光學強度分布圖；

傳送所述的光學強度分布圖至處理器；以及

根據所述的光學強度分布圖評估離子植布分布圖。

7.如權利要求1所述的評估離子植布加工件特性的方法，其特征在于，所述的輻射具有波長介于380至700納米之間。

8.如權利要求1所述的評估離子植布加工件特性的方法，其特征在于，所述的光感材料是選自溴化銀、螺吡喃、螺1,4-氧氮六圜、二芳基乙烯、偶氮苯、聚[N,N’-(p,p’-二氧聯苯)均苯四酸]、4-N，N-二甲胺基-4’-N’-甲基-氮雜芪對甲苯磺酸鹽及其組合。

9.如權利要求1所述的評估離子植布加工件特性的方法，其特征在于，所述的加工件是可見光可穿透的基材。

10.一種具有改質表面的晶圓測試加工件，其特征在于，包含：

可透光基材；

光感層設置在所述的基材之上，其中所述的光感層具有光感材料，離子植布時光感材料改變其化學結構；

光罩具有上平臺以承接所述的基材于其上，其中所述的平臺具有表面積等于或大于所述的基材的表面積；以及

測量儀基質配置以測量穿過所述的基材及所述的光感層的穿透光的光學強度，與所述的光罩的平臺是平行擺設，且具有半徑大于所述的光罩的平臺的半徑。

11.如權利要求10所述的具有改質表面的晶圓測試加工件，其特征在于，所述的可透光基材可透光的范圍介于波長380納米至700納米之間。

12.如權利要求10所述的具有改質表面的晶圓測試加工件，其特征在于，所述的光感材料是選自溴化銀、螺吡喃、螺1,4-氧氮六圜、二芳基乙烯、偶氮苯、聚[N,N’-(p,p’-二氧聯苯)均苯四酸]、4-N，N-二甲胺基-4’-N’-甲基-氮雜芪對甲苯磺酸鹽及其組合。

13.如權利要求10所述的具有改質表面的晶圓測試加工件，其特征在于，所述的光感材料化學結構的逆反應是通過一熱反應機制達成。

14.如權利要求10所述的具有改質表面的晶圓測試加工件，其特征在于，所述的光感層折射系數是可變化的。