[發明專利]評估加工件特性的方法、加工件及形成光感層的方法

有效

• 申請號: 201610683307.5
• 申請日: 2016-08-18
• 公開（公告）號: CN106711056B
• 公開（公告）日: 2019-11-29
• 發明（設計）人: 莊國勝;周友華
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L23/544
• 代理公司: 11006 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國<國際申請>=<國際公布>=<進入

本發明揭露一種評估加工件特性的方法、加工件及形成光感層的方法。評估離子植布加工件特性的方法包含：在基材上形成一光感層，以形成一加工件，該光感層包含一光感材料。接著，在該加工件上進行離子植布。對該加工件進行輻射。計算該加工件的一光學強度。離子植布圖案由光學強度結果評估。光感材料的一化學結構在離子植布時改變。加工件透過恢復光感材料的化學結構或是通過化學物質移除離子干擾的光感材料?？杉涌旆治鲭x子植布的時程，且容易觀察，加工件還可回收再利用。

技術領域

本發明實施例是關于一種評估離子植布加工件的方法；更詳細地說，是關于一種利用光感材料評估離子植布加工件的方法。

背景技術

離子植布是用在將摻雜物植入半導體晶圓中，以形成像是場效晶體管(fieldeffect transistors)和雙載子接面晶體管(bipolar junction transistors)。由離子布植器產生一集中的離子光束，這道光束是通過將分子或原子于氣態中離子化，接著靜電校正，過濾不需要的離子并集中該光束于晶圓表面上。理想狀況，接受離子植布處理的晶圓表面有統一的輻射強度以及由光束產生的相同光點大小。整個晶圓表面都暴露在光束之下，且離子滲透進入晶圓表層。離子進入晶圓表層的深度取決于光束強度。換句話說，光束強度以及暴露時間長短對于摻雜物植入圖案有顯著的影響。

然而，實際上形成圖案的光束中，離子密度并非統一。常見的情況，在中心布位的掃描范圍相較于邊緣區域具有較高的植入濃度。摻雜物分布情形可能受到的各種影響比預期的還要復雜。但是摻雜物分布情形具有舉足輕重的地位，因為半導體裝置的二維面積愈來愈小。離子植布結果與裝置性能密切相關。舉例來說，金氧半場效晶體管的閾電壓調整。

摻雜物分布情形相當復雜且不如預期。因此，業界亟需一種能夠在制程中監控摻雜物分布情形，而且同時更了解離子植布的物理機制。

發明內容

根據本發明部分實施例提供一種評估離子植布加工件特性的方法包含在基材上形成一光感層，以形成一加工件，該光感層包含一光感材料。接著，在該加工件上進行離子植布。對該加工件進行輻射。計算該加工件的一光學強度。

根據本發明部分實施例，在加工件上進行離子植布包含改變光感材料的一化學結構。

根據本發明部分實施例，計算加工件的一光學強度包含測量光感材料的一折射系數差值。

根據本發明部分實施例，還包含通過加熱恢復光感材料的化學結構。

根據本發明部分實施例，輻射具有一波長介于380至700納米之間。

根據本發明部分實施例，光感材料是選自溴化銀、螺吡喃(spriopyrans)、螺1,4-氧氮六圜(spirooxazines)、二芳基乙烯(diarylethenes)、偶氮苯(azobenzenes)、聚[N,N’-(p,p’-二氧聯苯)均苯四酸](poly[N,N’-(p,p’-oxydiphenylene)pyromellitimide])、4-N，N-二甲胺基-4’-N’-甲基-氮雜芪對甲苯磺酸鹽(4-N,N-dimethylamino-4-N/-methyl-stilbazolium tosylate)及其組合。

根據本發明部分實施例還提供一種具有改質表面的晶圓測試加工件。加工件包含一可透光基材以及一光感層設置在該基材之上。光感層具有一光感材料，離子植布時光感材料改變其化學結構。