[發明專利]鰭式場效應晶體管及其制造方法

在審

• 申請號: 201610680819.6
• 申請日: 2016-08-17
• 公開（公告）號: CN106711142A
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 張哲誠;林志翰;曾鴻輝
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/8234;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,李偉

1.一種鰭式場效應晶體管(FinFET)，包括：

襯底，包括多個半導體鰭，所述半導體鰭包括至少一個有源鰭和設置在所述有源鰭的兩個相對側處的多個偽鰭；

多個絕緣體，設置在所述襯底上，所述半導體鰭被所述絕緣體絕緣；

柵極堆疊件，設置在所述半導體鰭的部分上方和所述絕緣體的部分上方；以及

應變材料，覆蓋所述有源鰭的被所述柵極堆疊件顯露的部分。

2.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管，其中，所述有源鰭的高度與所述偽鰭的高度相同。

3.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管，其中，所述有源鰭的高度大于所述偽鰭的高度。

4.根據權利要求3所述的鰭式場效應晶體管，其中，所述偽鰭掩埋在所述絕緣體的部分中。

5.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管，其中，所述偽鰭是電接地的或電懸浮的。

6.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管，其中，所述偽鰭包括分別設置在所述有源鰭的兩個相對側處的至少一個第一偽鰭和至少一個第二偽鰭。

7.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管，其中，所述半導體鰭被溝槽間隔開并且所述溝槽部分地由所述絕緣體填充。

8.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管，其中，所述應變材料包括碳化硅(SiC)或硅鍺(SiGe)。

9.一種用于制造鰭式場效應晶體管(FinFET)的方法，包括：

提供襯底；

圖案化所述襯底以在所述襯底中形成溝槽以及在所述溝槽之間形成半導體鰭，所述半導體鰭包括至少一個有源鰭和設置在所述有源鰭的兩個相對側處的多個偽鰭；

在所述溝槽中形成多個絕緣體；

在所述半導體鰭的部分上方和所述絕緣體的部分上方形成柵極堆疊件；以及

在所述有源鰭的被所述柵極堆疊件顯露的部分上方形成應變材料。

10.一種用于制造鰭式場效應晶體管(FinFET)的方法，包括：

在襯底上形成多個半導體鰭，所述半導體鰭包括一組有源鰭、設置在所述一組有源鰭的一側處的至少一個第一偽鰭和設置在所述一組有源鰭的另一側處的至少一個第二偽鰭；

在所述襯底上和在所述半導體鰭之間形成多個絕緣體；

在所述半導體鰭的部分上方和所述絕緣體的部分上方形成柵極堆疊件；

部分地去除所述一組有源鰭的被所述柵極堆疊件顯露的部分以形成多個凹進的部分；以及

在所述一組有源鰭的所述凹進的部分上方形成應變材料。