[發明專利]抗蝕劑剝離液組合物及使用其的抗蝕劑剝離方法

有效

• 申請號: 201610669090.2
• 申請日: 2016-08-15
• 公開（公告）號: CN106468860B
• 公開（公告）日: 2020-03-03
• 發明（設計）人: 崔漢永;高京俊;李喻珍
• 申請（專利權）人: 東友精細化工有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;陳彥

本發明涉及抗蝕劑剝離液組合物使用其的抗蝕劑剝離方法，更詳細地說，涉及如下的抗蝕劑剝離液組合物，該抗蝕劑剝離液組合物通過包含乙醇胺、化學式1所表示的酰胺和在苯環具有兩個以上取代基的苯并三唑系防腐蝕劑，從而顯示出優異的剝離能力，與此同時，能夠使對下部金屬配線、絕緣膜的腐蝕最小化，并且經時穩定性優異，能夠從根本上抑制自身反應導致的抗蝕劑剝離能力下降、副產物生成等問題。

技術領域

本發明涉及抗蝕劑剝離液組合物使用其的抗蝕劑剝離方法。

背景技術

光致抗蝕劑(Photoresist)是能夠利用通過光的光化學反應在所需的基板上將預先畫在光掩模(Photomask)的微細圖案顯影的化學被膜，是與光掩模一起應用于曝光技術的高分子材料，被認為是對元件的集成度直接帶來影響并決定最終的分辨率極限的主要因子。根據又名摩爾定律(Moore's law；半導體的集成度每2年增加2倍的理論)，為了將每年增加的電路的集成度放入被限定大小的半導體，需要將設計的電路進行更小的圖案化(patterning)，因此半導體集成度的增加必然會不斷要求新的光致抗蝕劑的開發。

為了制造半導體元件或高分辨率的平板顯示器，一般使用利用這種光致抗蝕劑在基板上形成微細的配線的光刻工序，這是利用光致抗蝕劑的熱特性、機械特性、化學特性，在基板涂布光致抗蝕劑后，使其在一定波長的光中曝光(exposure)，進行干式蝕刻或濕式蝕刻的方法。

在利用了光致抗蝕劑的微細的圖案化技術中，與開發新的光致抗蝕劑一同受到重視的領域是抗蝕劑剝離液(Stripper或Photoresist Remover)。光致抗蝕劑需要在工序結束后利用被稱為剝離液(Stripper或Photoresist Remover)的溶劑除去，這是因為在蝕刻過程后不必要的光致抗蝕劑層和通過蝕刻和洗滌過程殘留在基板上的金屬殘留物或變質的光致抗蝕劑殘留物會引起使半導體制造的收率下降等問題。

作為代表性地使用的干式蝕刻法，可舉出等離子體蝕刻、離子注入蝕刻等方法，在這種等離子體蝕刻的情況下，由于利用等離子體氣體與導電層之類的物質膜之間的氣相-固相反應進行蝕刻工序，所以等離子體蝕刻氣體的離子和自由基與光致抗蝕劑引起化學反應，使光致抗蝕劑膜固化和變性，因此難以除去。另外，離子注入工序是在半導體/LED/LCD元件的制造工序中，為了在基板的特定區域賦予導電性，使磷、砷、硼等元素擴散的工序，離子與正性光致抗蝕劑引起化學反應而使其變性，因此仍然難以除去。

因此，要求對于蝕刻殘渣的清除力和對于變質的光致抗蝕劑殘留物的優異的剝離能力，具體而言，要求對于在干式蝕刻工序后發生的蝕刻殘渣的清除力、對于下部金屬配線和硅的腐蝕抑制力等要求相當高水平的剝離特性。

韓國公開專利第2011-0130563號中公開了光致抗蝕劑剝離組合物。

現有技術文獻

專利文獻

韓國公開專利第2011-0130563號

發明內容

所要解決的課題

本發明的目的在于提供顯示出優異的剝離能力，與此同時，使下部金屬配線、絕緣膜的腐蝕最小化的抗蝕劑剝離液組合物。

解決課題的方法

1.一種抗蝕劑剝離液組合物，其包含乙醇胺、下述化學式1所表示的酰胺和在苯環具有兩個以上取代基的苯并三唑系防腐蝕劑：

[化學式1]

(式中，R₁和R₂各自獨立地為甲基或乙基)。

2.根據上述1所述的抗蝕劑剝離液組合物，其中，上述化學式1所表示的酰胺為選自由下述化學式2～4組成的組中的一種以上的化合物：