[發(fā)明專利]量子點膜層及其制作方法及在線連續(xù)制作量子點膜層的系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610668503.5
• 申請日: 2016-08-15
• 公開（公告）號: CN107761052A
• 公開（公告）日: 2018-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李守軍;崔國東;李碩
• 申請（專利權(quán)）人: 張家港康得新光電材料有限公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/08;C23C14/10;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/50;H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11240
• 代理人: 趙囡囡,梁文惠

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及量子點膜制備領(lǐng)域，具體而言，涉及一種量子點膜層及其制作方法及在線連續(xù)制作量子點膜層的系統(tǒng)。

背景技術(shù)

量子點由于具有優(yōu)異的光學(xué)性能，因此被廣泛應(yīng)用于顯示面板或LED光源等器件中。在應(yīng)用時量子點需要與水汽和氧氣隔絕，因此一般采用阻隔膜對量子點進行保護。目前常將量子點分散于聚合物中形成量子點樹脂，然后將量子點樹脂置于載體上形成量子點膜，然后在量子點膜的裸露表面設(shè)置阻隔膜對量子點進行保護。

現(xiàn)有的量子點膜技術(shù)為分散式的，即在PET或者其他透明柔性基材上形成量子點膜，在其他基材上形成阻隔膜，然后將兩種膜貼合在一起。這種方法需要后期的貼合成本，也會由于增加貼合的工藝而影響產(chǎn)品良率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于提供一種量子點膜層、其制作方法及在線連續(xù)制作量子點膜層的系統(tǒng)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的采用貼合方式導(dǎo)致的量子點膜層良率降低的問題。

為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種量子點膜層的制作方法，包括：步驟S1，在基材上設(shè)置量子點膜；以及步驟S2，在量子點膜上生長阻隔層。

進一步地，上述步驟S2包括：在真空條件下采用PECVD、PVD和/或ALD制備氧化鋁層、氧化硅層或氮化硅層作為阻隔層。

進一步地，上述采用電感耦合式等離子體增強化學(xué)氣相沉積法形成Al₂O₃層作為阻隔層，優(yōu)選電感耦合式等離子體增強化學(xué)氣相沉積法的O₂流量為100～200sccm，三甲基鋁流量為30～50sccm，壓力為5～7E-3Torr，射頻功率為1～3KW。

進一步地，上述電感耦合式等離子體增強化學(xué)氣相沉積過程分次進行，每次持續(xù)5～15s，重復(fù)5～15次。

進一步地，上述制作方法在步驟S1和步驟S2之間或者在步驟S2之后還包括在基材的遠(yuǎn)離量子點膜的表面上生長基體阻隔層，優(yōu)選基體阻隔層的生長方法和步驟S2中阻隔層的生長方法相同。

進一步地，上述步驟S1包括：在氮氣氣氛下，在基材上打印或涂布量子點樹脂；將量子點樹脂進行固化，形成量子點膜。

進一步地，上述量子點樹脂為含有量子點的UV固化樹脂，固化采用UV照射固化。

進一步地，上述基材為玻璃時，步驟S1在打印或涂布量子點樹脂之前還包括對玻璃進行清潔處理的過程。

進一步地，上述基材包括樹脂基體和設(shè)置在樹脂基體上的基體阻隔層時，步驟S1在打印或涂布量子點樹脂之前還包括在樹脂基體的表面上生長基體阻隔層的過程，量子點膜設(shè)置在所述基體阻隔層上，優(yōu)選生長基體阻隔層的方法與步驟S2中生長阻隔層的方法相同。

進一步地，上述制作方法在步驟S2之后還包括在阻隔層上生長保護層的步驟。

進一步地，上述生長保護層的步驟包括：在真空環(huán)境下或氮氣氣氛中打印或噴涂樹脂；將樹脂固化形成保護層。

進一步地，上述樹脂為UV樹脂，固化采用UV照射固化。

進一步地，上述制作方法實施過程中基材固定在載臺上，載臺采用非接觸式磁力進行驅(qū)動。

根據(jù)本申請的另一方面，提供了一種在線連續(xù)制作量子點膜層的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括依次設(shè)置的量子點膜形成裝置和阻隔層生長裝置。

進一步地，上述阻隔層生長裝置包括成膜站，優(yōu)選成膜站內(nèi)設(shè)置有PECVD設(shè)備、PVD設(shè)備和/或ALD設(shè)備。

進一步地，上述量子點膜形成裝置包括依次設(shè)置的量子點打印站和第一固化站，第一固化站設(shè)置在量子點打印站的下游，成膜站設(shè)置在第一固化站的下游，優(yōu)選第一固化站為UV固化站。

進一步地，上述系統(tǒng)還包括設(shè)置在阻隔層生長裝置下游的保護層形成裝置。

進一步地，上述保護層形成裝置包括依次設(shè)置的保護層打印站和第二固化站，第二固化站設(shè)置在保護層打印站的下游，優(yōu)選第二固化站為UV固化站。

進一步地，上述系統(tǒng)還包括設(shè)置在量子點打印站上游的上料站和第一緩沖站，以及設(shè)置在第二固化站下游的第二緩沖站和下料站，第一緩沖站設(shè)置在上料站的下游，第二緩沖站設(shè)置在下料站的上游。

進一步地，上述上料站、第一緩沖站、量子點打印站、第一固化站、成膜站、保護層打印站、第二固化站、第二緩沖站和下料站中均設(shè)置抽真空設(shè)備和/或氮氣供應(yīng)設(shè)備。