[發明專利]量子點膜層及其制作方法及在線連續制作量子點膜層的系統

在審

• 申請號: 201610668503.5
• 申請日: 2016-08-15
• 公開（公告）號: CN107761052A
• 公開（公告）日: 2018-03-06
• 發明（設計）人: 李守軍;崔國東;李碩
• 申請（專利權）人: 張家港康得新光電材料有限公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/08;C23C14/10;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/50;H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司11240
• 代理人: 趙囡囡,梁文惠

1.一種量子點膜層的制作方法，其特征在于，包括：

步驟S1，在基材(10)上設置量子點膜(20)；以及

步驟S2，在所述量子點膜(20)上生長阻隔層(30)。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步驟S2包括：在真空條件下采用PECVD、PVD和/或ALD制備氧化鋁層、氧化硅層或氮化硅層作為所述阻隔層(30)，優選采用電感耦合式等離子體增強化學氣相沉積法形成Al₂O₃層作為所述阻隔層(30)，更優選所述電感耦合式等離子體增強化學氣相沉積法的O₂流量為100～200sccm，三甲基鋁流量為30～50sccm，壓力為5～7E-3Torr，射頻功率為1～3KW；進一步優選所述電感耦合式等離子體增強化學氣相沉積過程分次進行，每次持續5～15s，重復5～15次。

3.根據權利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法在所述步驟S1和所述步驟S2之間或者在所述步驟S2之后還包括在所述基材(10)的遠離所述量子點膜(20)的表面上生長基體阻隔層(12)，優選所述基體阻隔層(12)的生長方法和所述步驟S2中所述阻隔層(30)的生長方法相同。

4.根據權利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述步驟S1包括：

在氮氣氣氛下，在所述基材(10)上打印或涂布量子點樹脂，優選所述量子點樹脂為含有量子點的UV固化樹脂；

將所述量子點樹脂進行固化，形成所述量子點膜(20)，優選所述固化采用UV照射固化，

更優選所述基材(10)為玻璃時，所述步驟S1在打印或涂布所述量子點樹脂之前還包括對所述玻璃進行清潔處理的過程；

更優選所述基材(10)包括樹脂基體(11)和設置在所述樹脂基體(11)上的基體阻隔層(12)時，所述步驟S1在打印或涂布所述量子點樹脂之前還包括在所述樹脂基體(11)的表面上生長基體阻隔層(12)的過程，所述量子點膜(20)設置在所述基體阻隔層(12)上，優選所述生長基體阻隔層(12)的方法與所述步驟S2中生長阻隔層(30)的方法相同。

5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法在所述步驟S2之后還包括在所述阻隔層(30)上生長保護層(40)的步驟，優選所述生長保護層(40)的步驟包括：

在真空環境下或氮氣氣氛中打印或噴涂樹脂，優選所述樹脂為UV樹脂；

將所述樹脂固化形成所述保護層(40)，優選所述固化采用UV照射固化。

6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法實施過程中所述基材(10)固定在載臺上，所述載臺采用非接觸式磁力進行驅動。

7.一種在線連續制作量子點膜層的系統，其特征在于，所述系統包括依次設置的量子點膜形成裝置和阻隔層生長裝置。

8.根據權利要求7所述的系統，其特征在于，所述阻隔層生長裝置包括成膜站(5)，優選所述成膜站(5)內設置有PECVD設備、PVD設備和/或ALD設備。

9.根據權利要求8所述的系統，其特征在于，所述量子點膜形成裝置包括依次設置的量子點打印站(3)和第一固化站(4)，所述第一固化站(4)設置在所述量子點打印站(3)的下游，所述成膜站(5)設置在所述第一固化站(4)的下游，優選所述第一固化站(4)為UV固化站。

10.根據權利要求9所述的系統，其特征在于，所述系統還包括設置在所述阻隔層生長裝置下游的保護層形成裝置，優選所述保護層形成裝置包括依次設置的保護層打印站(6)和第二固化站(7)，所述第二固化站(7)設置在所述保護層打印站(6)的下游，更優選所述第二固化站(7)為UV固化站。