[發明專利]靜電放電保護結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201610666917.4
• 申請日: 2016-08-12
• 公開（公告）號: CN107731808B
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發明（設計）人: 周飛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 11227 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種靜電放電保護結構，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括：襯底和位于所述襯底上的若干鰭部，所述基底包括第一區域和第二區域；

位于所述第一區域襯底上的隔離結構，且所述隔離結構暴露出所述第二區域襯底表面；

位于所述第一區域鰭部表面的第一摻雜層；

位于所述第二區域鰭部表面和第二區域襯底表面的第二摻雜層。

2.如權利要求1所述的靜電放電保護結構，其特征在于，所述基底還包括位于第一區域和第二區域之間的柵極區；

所述靜電放電保護結構還包括：位于所述柵極區基底上的柵極結構；

所述第一摻雜層和第二摻雜層的類型相同。

3.如權利要求2所述的靜電放電保護結構，其特征在于，還包括位于所述第二區域與所述柵極區之間的基底上的隔離結構。

4.如權利要求1所述的靜電放電保護結構，其特征在于，所述第一摻雜層與第二摻雜層中的摻雜離子的類型相反。

5.如權利要求1所述的靜電放電保護結構，其特征在于，所述第二區域鰭部高度小于所述第一區域鰭部高度。

6.如權利要求1所述的靜電放電保護結構，其特征在于，所述第二區域鰭部的高度為150埃～800埃。

7.如權利要求1所述的靜電放電保護結構，其特征在于，所述基底包括多個位于第二區域襯底上的鰭部；

所述第二區域相鄰鰭部之間間隙的深寬比值為1～4。

8.如權利要求1所述的靜電放電保護結構，其特征在于，所述第二摻雜層的厚度為50埃～500埃。

9.一種靜電放電保護結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一區域和第二區域，所述基底的第一區域和第二區域均包括：襯底和位于所述襯底上的鰭部；

在所述第一區域和第二區域襯底上形成隔離結構，所述隔離結構覆蓋所述鰭部部分側壁且表面低于所述鰭部頂部表面；

去除第二區域襯底上的隔離結構，暴露出所述第二區域襯底表面；

在所述第一區域鰭部表面形成第一摻雜層；

在所述第二區域鰭部表面和第二區域襯底表面形成第二摻雜層。

10.如權利要求9所述的靜電放電保護結構的形成方法，其特征在于，所述基底還包括位于第一區域和第二區域之間的柵極區；

形成第一摻雜層和第二摻雜層之前，所述形成方法還包括在所述柵極區基底上形成柵極結構；

所述第一摻雜層和所述第二摻雜層的類型相同。

11.如權利要求10所述的靜電放電保護結構的形成方法，其特征在于，所述第二區域與所述柵極區之間的基底上具有隔離結構。

12.如權利要求9所述的靜電放電保護結構的形成方法，其特征在于，形成所述第二摻雜層的工藝包括外延生長工藝。

13.如權利要求9所述的靜電放電保護結構的形成方法，其特征在于，形成所述第二摻雜層之前，還包括：對所述第二區域鰭部進行刻蝕，減小第二區域鰭部高度。

14.如權利要求13所述的靜電放電保護結構的形成方法，其特征在于，對所述第二區域鰭部進行刻蝕之后，所述鰭部的高度為150埃～800埃。

15.如權利要求13所述的靜電放電保護結構的形成方法，其特征在于，所述第二區域襯底上具有多個鰭部；

對所述第二區域鰭部進行刻蝕之后，所述第二區域相鄰鰭部之間間隙的深寬比值為1～4。