[發明專利]結構上的光致抗蝕劑圖案制作工藝

有效

• 申請號: 201610666664.0
• 申請日: 2016-08-15
• 公開（公告）號: CN107479338B
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 史佩珊;郭琬琳;張宜翔;林嘉祺;賴俊丞
• 申請（專利權）人: 力晶積成電子制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/26
• 分類號: G03F7/26;G03F7/20;H01L21/027
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種結構上的光致抗蝕劑圖案制作工藝，包括：提供基底，此基底包括第一區以及多個第二區，其中第二區位于第一區的相對兩側，且多個突起圖案形成于基底上；在第一區上形成光致抗蝕劑圖案，其中當突起圖案至少位于第一區上且與待形成的光致抗蝕劑圖案的位置重疊時，在形成光致抗蝕劑圖案之前，移除突起圖案。

技術領域

本發明涉及一種結構上的半導體制作工藝，且特別是涉及一種結構上的光致抗蝕劑圖案制作工藝。

背景技術

在光刻制作工藝中，所形成的光致抗蝕劑圖案的輪廓和關鍵尺寸(CriticalDimension；CD)會嚴重地受到基底(substrate)的地形(topography)以及來自基底上或基底中的圖案的反射率(reflectivity)的影響。為了降低基底的地形以及反射率對于所形成的光致抗蝕劑圖案的輪廓和關鍵尺寸造成影響，目前是通過光學臨近修正(OpticalProximity Correct；OPC)處理的方式在形成光致抗蝕劑圖案前先進行參數上的調整。

然而，在許多情況下，光學臨近修正處理仍不足以提升所形成的光致抗蝕劑圖案的輪廓和關鍵尺寸的準確性。因此，目前仍需要一種可降低受基底的地形以及反射率影響的光致抗蝕劑圖案制作工藝。

發明內容

本發明提供一種結構上的光致抗蝕劑圖案制作工藝，能夠提高所形成的光致抗蝕劑圖案的輪廓以及關鍵尺寸的準確性。

本發明的一實施例的結構上的光致抗蝕劑圖案制作工藝，其步驟包括：首先，提供基底，所述基底包括第一區以及多個第二區，其中第二區位于第一區的相對兩側，且多個突起圖案形成于基底上。接著，在第一區上形成光致抗蝕劑圖案，其中當突起圖案至少位于第一區上且與待形成的光致抗蝕劑圖案的位置重疊時，在形成光致抗蝕劑圖案之前，移除突起圖案。

在本發明的一實施例中，上述的第一區例如是主動區(active area)。

在本發明的一實施例中，上述的第二區例如是隔離區(isolated area)。

在本發明的一實施例中，上述在移除突起圖案之后且在形成光致抗蝕劑圖案之前，還包括于第二區上形成突起圖案。

本發明的一實施例的結構上的光致抗蝕劑圖案制作工藝，其步驟包括：首先，提供基底，所述基底包括第一區以及多個第二區，其中第二區位于第一區的兩側。接著，在第一區上形成光致抗蝕劑圖案，其中當第二區的寬度為第一區的寬度的1倍以上時，在形成光致抗蝕劑圖案前，在第二區中形成第三區，使得位于第一區與第三區之間的第二區的寬度小于第一區的寬度的1倍。

在本發明的一實施例中，上述的第一區例如是主動區。

在本發明的一實施例中，上述的第二區例如是隔離區。

在本發明的一實施例中，上述的第三區的材料例如是硅、多晶硅、硅鍺或氧化硅。

在本發明的一實施例中，上述的第三區的材料與第一區的材料相同。

基于上述，在本發明的結構上的光致抗蝕劑圖案制作工藝中，先將第一區上與光致抗蝕劑圖案的位置重疊的突起圖案移除，因此所形成光致抗蝕劑圖案的位置為較為平坦的區域，可避免因基底地形與反射率對光致抗蝕劑圖案所造成的影響，因此可得到具有符合所需的圖案輪廓以及關鍵尺寸的光致抗蝕劑圖案。或者是，在本發明的結構上的光致抗蝕劑圖案制作工藝中，使第一區旁的第二區的寬度小于第一區的寬度的1倍，以減少反射率所造成的影響，因此所形成的光致抗蝕劑圖案具有較佳的圖案輪廓以及所需的關鍵尺寸。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1A至圖1D為依照本發明的第一實施例所繪示的光致抗蝕劑圖案的制作流程剖面示意圖；