[發(fā)明專利]結(jié)構(gòu)上的光致抗蝕劑圖案制作工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610666664.0
• 申請(qǐng)日: 2016-08-15
• 公開（公告）號(hào): CN107479338B
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 史佩珊;郭琬琳;張宜翔;林嘉祺;賴俊丞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 力晶積成電子制造股份有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/26
• 分類號(hào): G03F7/26;G03F7/20;H01L21/027
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種結(jié)構(gòu)上的光致抗蝕劑圖案制作工藝，包括：

提供基底，所述基底包括第一區(qū)以及多個(gè)第二區(qū)，其中所述第二區(qū)位于所述第一區(qū)的相對(duì)兩側(cè)，且多個(gè)突起圖案形成于所述基底上；以及

在所述第一區(qū)上形成光致抗蝕劑圖案，其中當(dāng)所述突起圖案至少位于所述第一區(qū)上且與待形成的所述光致抗蝕劑圖案的位置重疊時(shí)，在形成所述光致抗蝕劑圖案之前，移除所述突起圖案。

2.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)上的光致抗蝕劑圖案制作工藝，其中所述第一區(qū)包括主動(dòng)區(qū)。

3.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)上的光致抗蝕劑圖案制作工藝，其中所述第二區(qū)包括隔離區(qū)。

4.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)上的光致抗蝕劑圖案制作工藝，其中在移除所述突起圖案之后且在形成所述光致抗蝕劑圖案之前，還包括于所述第二區(qū)上形成所述突起圖案。

5.一種結(jié)構(gòu)上的光致抗蝕劑圖案制作工藝，包括：

提供基底，所述基底包括第一區(qū)以及多個(gè)第二區(qū)，其中所述第二區(qū)位于所述第一區(qū)的相對(duì)兩側(cè)，所述第一區(qū)和所述第二區(qū)的反射率不同；以及

在所述第一區(qū)上形成光致抗蝕劑圖案，其中當(dāng)所述第二區(qū)的寬度為所述第一區(qū)的寬度的1倍以上時(shí)，在形成所述光致抗蝕劑圖案前，在所述第二區(qū)中形成第三區(qū)，使得位于所述第一區(qū)與所述第三區(qū)之間的所述第二區(qū)的寬度小于所述第一區(qū)的寬度的1倍。

6.如權(quán)利要求5所述的結(jié)構(gòu)上的光致抗蝕劑圖案制作工藝，其中所述第一區(qū)包括主動(dòng)區(qū)。

7.如權(quán)利要求5所述的結(jié)構(gòu)上的光致抗蝕劑圖案制作工藝，其中所述第二區(qū)包括隔離區(qū)。

8.如權(quán)利要求5所述的結(jié)構(gòu)上的光致抗蝕劑圖案制作工藝，其中所述第三區(qū)的材料包括硅、多晶硅、硅鍺或氧化硅。

9.如權(quán)利要求5項(xiàng)所述的結(jié)構(gòu)上的光致抗蝕劑圖案制作工藝，其中所述第三區(qū)的材料與所述第一區(qū)的材料相同。