[發明專利]高粘性改性PI膜

有效

• 申請號: 201610656689.2
• 申請日: 2016-08-11
• 公開（公告）號: CN106279746B
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發明（設計）人: 李彥
• 申請（專利權）人: 蘇州柯創電子材料有限公司
• 主分類號: C08J7/16
• 分類號: C08J7/16;C08L79/08;B29C59/14;B29C59/02
• 代理公司: 11369 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 韓飛

本發明公開了一種高粘性改性PI膜，其表面依次經過物理改性和化學改性，所述物理改性為所述PI膜至少一層具有凸凹結構，且該凹凸結構中的凹結構的深度小于該PI膜的厚度，所述PI薄膜的凸凹結構采用光刻模具制成，或采用模壓模具壓縮成型；所述化學改性為等離子體處理和表面接枝改性相結合。本發明制備的高粘性PI膜具有粘性高，良好的親水性，有利于提高與膠粘劑粘結的有益效果。

技術領域

本發明涉及一種PI膜。更具體地說，本發明涉及一種電一種高粘性改性PI膜。

背景技術

PI薄膜具有優異的機械性能、耐熱性能、電氣性能、阻燃性能和耐輻射性能等。廣泛應用于航空航天工業、電子電氣工業和信息產業等各個領域。作為撓性印制電路基材、耐高溫電線、電纜和電機電器的絕緣，它在減少產品質量、減少體積和提高性能方面具有極大的作用。

因為PI材料耐高溫耐撓曲的特性可適應于現代產品輕薄化以及高安全的訴求，PI薄膜的最大應用市場是可撓性電路板，主要用于撓性電路板的基材薄膜和覆蓋膜及自粘帶的芯片載體。PI薄膜撓性電路板的工藝中，先在PI薄膜涂一層環氧樹脂類或丙烯樹脂類的膠粘劑，在一定條件下烘焙至半固化狀態制成涂膠PI薄膜，然后與金屬基底一起進行熱壓或者熱復合制成。由于PI薄膜親水性差、表面光滑，導致其與膠粘劑粘結性差，容易導致PI膜與膠粘劑層的界面處產生剝離，進而導致金屬基板脫落，影響整個電器的正常運行。為了改善粘結性，有必要對PI薄膜表面進行改性處理來增強PI薄膜的表面粘性。

傳統的表面改性方法大多是采用濕法化學改性方法，對于濕法化學改性，使得聚合物鏈的部分降解和剪裂，并導致材料力學性能的降低和進一步的降底。

發明內容

針對上述不足之處，本發明的目的在于提供一種簡單實用、經濟環保的高粘性改性PI膜。

本發明的技術方案如下：

一種高粘性改性PI膜，其表面依次經過物理改性和化學改性，所述物理改性為所述PI膜至少一層具有凸凹結構，且該凸凹結構中的凹結構的深度小于該PI膜的厚度，所述PI薄膜的凸凹結構采用光刻模具制成，或采用模壓模具壓縮成型；所述化學改性為等離子體處理和表面接枝改性相結合。

優選的是，所述凸凹結構為呈周期性排布在PI膜表面的幾何形狀。

優選的是，所述凸凹結構中的凹結構的深度為0.5～2μm。

優選的是，所述PI膜厚為10～20μm。

優選的是，所述等離子體處理和表面接枝改性相結合方法為：

S1：清洗，取物理改性后的PI薄膜在弱堿性溶液中除油去污并微蝕，然后用自來水清洗，晾干備用；

S2：等離子體處理，將清洗晾干后的PI薄膜放在等離子的真空室內，采用輝光放電的方式在氬氣流0.6Torr下對PI薄膜進行低溫等離子體處理，功率35W，處理時間為1～60s；

S3：活化，將處理好的PI薄膜取出后放空氣中5min～1h形成活性中心；

S4：化學接枝，將活化好的PI薄膜放在丙烯酰胺、硫酸亞鐵銨的N-甲基吡咯烷酮溶液中，常溫下反應10～30min取出；

S5：后處理：將接枝后的PI膜用丙酮和40～60℃去離子水進行沖洗10～20min，自然晾干得到表面化學改性的PI膜。

優選的是，所述步驟S1中的弱堿性溶液為碳酸鈉、磷酸鈉和十二烷基苯磺酸鈉的混合液。

優選的是，所述步驟S1中將所述PI膜在所述弱堿性溶液中浸泡時間為5～10min。

優選的是，所述步驟S3中丙烯酰胺、硫酸亞鐵銨的N-甲基吡咯烷酮溶液中，丙烯酰胺和硫酸亞鐵銨的質量分數分別為10～25％和0.5％～3％。