[發明專利]高粘性改性PI膜有效
| 申請號： | 201610656689.2 | 申請日： | 2016-08-11 |
| 公開（公告）號： | CN106279746B | 公開（公告）日： | 2020-01-14 |
| 發明（設計）人： | 李彥 | 申請（專利權）人： | 蘇州柯創電子材料有限公司 |
| 主分類號： | C08J7/16 | 分類號： | C08J7/16;C08L79/08;B29C59/14;B29C59/02 |
| 代理公司： | 11369 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 韓飛 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 化學改性 凸凹結構 物理改性 高粘性 表面接枝改性 等離子體處理 膠粘劑 凹凸結構 模壓模具 壓縮成型 凹結構 親水性 改性 光刻 粘結 制備 模具 | ||
1.一種高粘性改性PI膜，其表面依次經過物理改性和化學改性，其特征在于：
所述物理改性為所述PI膜至少一層具有凸凹結構，且該凸凹結構中的凹結構的深度小于該PI膜的厚度，所述PI薄膜的凸凹結構采用光刻模具制成或采用模壓模具壓縮成型；
所述化學改性為等離子體處理和表面接枝改性相結合；
所述等離子體處理和表面接枝改性相結合方法為：
S1：清洗，取物理改性后的PI薄膜在弱堿性溶液中除油去污并微蝕，然后用自來水清洗，晾干備用；
S2：等離子體處理，將清洗晾干后的PI薄膜放在等離子的真空室內，采用輝光放電的方式在氬氣流0.6Torr下對PI薄膜進行等離子體處理，功率35W，處理時間為1～60s；
S3：活化，將處理好的PI薄膜取出后放空氣中5min～60min形成活性中心；
S4：化學接枝，將活化好的PI薄膜放在丙烯酰胺、硫酸亞鐵銨的N-甲基吡咯烷酮溶液中，常溫下反應10～30min取出；
S5：后處理，將接枝后的PI膜用丙酮和40～60℃去離子水進行沖洗10～20min，自然晾干得到表面化學改性的PI膜。
2.如權利要求1所述的一種高粘性改性PI膜，其特征在于：所述凸凹結構為呈周期性排布在PI膜表面的幾何形狀。
3.如權利要求1所述的一種高粘性改性PI膜，其特征在于：所述凸凹結構中的凹結構的深度為0.5～2μm。
4.如權利要求1所述的一種高粘性改性PI膜，其特征在于：所述PI膜厚為10～20μm。
5.如權利要求1所述的一種高粘性改性PI膜，其特征在于：所述步驟S1中的弱堿性溶液為碳酸鈉、磷酸鈉和十二烷基苯磺酸鈉的混合液。
6.如權利要求1所述的一種高粘性改性PI膜，其特征在于：所述步驟S1中將所述PI膜在所述弱堿性溶液中浸泡時間為5～10min。
7.如權利要求1所述的一種高粘性改性PI膜，其特征在于：所述步驟S4中丙烯酰胺、硫酸亞鐵銨的N-甲基吡咯烷酮溶液中，丙烯酰胺和硫酸亞鐵銨的質量分數分別為10wt～25wt％和0.5wt％～3wt％。
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