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[發明專利]用于芯片封裝件的結構和形成方法有效

專利信息
申請號: 201610652277.1 申請日: 2016-08-10
公開(公告)號: CN106611748B 公開(公告)日: 2019-09-24
發明(設計)人: 余振華;陳明發;葉松峯 申請(專利權)人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
主分類號: H01L23/29 分類號: H01L23/29;H01L23/48;H01L21/56
代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李偉
地址: 中國臺*** 國省代碼: 中國臺灣;71
權利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
摘要:
搜索關鍵詞: 用于 芯片 封裝 結構 形成 方法
【權利要求書】:

1.一種芯片封裝件,包括:

半導體芯片;

半導體管芯,位于所述半導體芯片上方;

介電層,位于所述半導體芯片上方且包封所述半導體管芯,其中,所述介電層由半導體氧化物材料制成并且與所述半導體芯片直接接觸;

導電部件,貫穿所述半導體管芯的半導體襯底并且物理連接所述半導體芯片的導電焊盤;以及

第一導電部件,貫穿所述半導體管芯的半導體襯底并且包括與所述半導體管芯的底面隔開的底端,其中,所述底端物理連接至所述半導體管芯的導電焊盤。

2.根據權利要求1所述的芯片封裝件,其中,所述介電層與所述半導體管芯直接接觸。

3.根據權利要求1所述的芯片封裝件,其中,所述導電部件貫穿所述半導體管芯的互連結構以與所述半導體芯片的所述導電焊盤電接觸。

4.根據權利要求1所述的芯片封裝件,還包括導電部件,所述導電部件貫穿所述介電層并且與所述半導體芯片的第二導電焊盤電接觸。

5.根據權利要求1所述的芯片封裝件,還包括:

接合焊盤,位于所述半導體芯片和所述半導體管芯之間;以及

第二導電部件,位于所述接合焊盤下面并且物理連接所述接合焊盤,其中,所述第二導電部件位于所述接合焊盤和所述半導體芯片之間并且電連接至所述半導體芯片的第二導電焊盤。

6.根據權利要求5所述的芯片封裝件,還包括:

第二接合焊盤,位于所述半導體芯片和所述半導體管芯之間;以及

第三導電部件,位于所述第二接合焊盤下面并且與所述第二接合焊盤隔離,其中,所述第三導電部件位于所述接合焊盤和所述半導體芯片之間并且電連接至所述半導體芯片的第三導電焊盤。

7.根據權利要求6所述的芯片封裝件,其中,所述第三導電部件是測試焊盤。

8.根據權利要求6所述的芯片封裝件,其中,所述接合焊盤和所述第二接合焊盤的頂面共平面。

9.根據權利要求1所述的芯片封裝件,還包括絕緣元件,所述絕緣元件位于所述導電部件和所述半導體管芯的所述半導體襯底之間。

10.根據權利要求1所述的芯片封裝件,其中,所述介電層的部分夾在所述半導體管芯和所述半導體芯片之間。

11.一種芯片封裝件,包括:

半導體芯片;

半導體管芯,位于所述半導體芯片上方;

介電層,包封所述半導體管芯,其中,所述介電層沒有聚合物材料并且與所述半導體芯片直接接觸;

導電部件,貫穿所述半導體芯片的半導體襯底;

第一導電部件,貫穿所述半導體管芯的半導體襯底并且包括與所述半導體管芯的底面隔開的底端,其中,所述底端物理連接至所述半導體管芯的導電焊盤;以及

連接件,位于所述半導體襯底上方并且電連接至所述導電部件,其中,所述半導體芯片位于所述半導體管芯和所述連接件之間。

12.根據權利要求11所述的芯片封裝件,其中,在所述介電層和所述半導體管芯之間沒有模塑料。

13.根據權利要求11所述的芯片封裝件,還包括第二導電部件,所述第二導電部件貫穿所述半導體管芯的半導體襯底。

14.根據權利要求11所述的芯片封裝件,還包括第二導電部件,所述第二導電部件貫穿所述介電層。

15.根據權利要求11所述的芯片封裝件,還包括:

接合焊盤,位于所述半導體芯片和所述半導體管芯之間;以及

第二導電部件,位于所述接合焊盤下面并且物理連接所述接合焊盤,其中,所述第二導電部件位于所述接合焊盤和所述半導體芯片之間并且電連接至所述半導體芯片的第二導電焊盤。

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