[發明專利]半導體存儲裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201610643291.5
• 申請日: 2016-08-08
• 公開（公告）號: CN106611745B
• 公開（公告）日: 2019-08-16
• 發明（設計）人: 前川貴史;中木寬
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L21/8239
• 分類號: H01L21/8239;H01L27/105
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種半導體存儲裝置，其特征在于，具備：

硅襯底，上層部分的至少一部分包含具有導電性的阱；

第1絕緣膜，設置在所述硅襯底上，與所述阱相接；

積層體，設置在所述硅襯底上及所述第1絕緣膜上，將多個第1導電膜及絕緣膜在第1方向上交替地積層；以及

第2導電膜，在所述第1方向上延伸于所述積層體內，包含硅，且包含透過配置在所述第1絕緣膜內而與所述阱絕緣的第1下端部及配置在所述積層體內的第1延伸部。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述積層體具有第2區域及第1區域，所述第1區域配置在所述第2區域的與所述第1方向交叉的第2方向側；且

配置在所述第1區域的部分的形狀為階梯狀，

所述第1延伸部配置在所述第1區域。

3.根據權利要求2所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

還具備第3導電膜，

所述第3導電膜在所述第1方向上延伸于所述第2區域，包含硅，且包含配置在所述硅襯底內的第2下端部及配置在所述積層體內的第2延伸部。

4.根據權利要求3所述的半導體存儲裝置，其特征在于：所述第1下端部的沿所述第1方向的第1長度比所述第2下端部的沿所述第1方向的第2長度長。

5.根據權利要求4所述的半導體存儲裝置，其特征在于：所述第1長度為所述第2長度的10倍以上。

6.根據權利要求3所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述硅襯底與所述第1絕緣膜接觸，且

所述硅襯底與所述第2下端部接觸。

7.根據權利要求4所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述第1絕緣膜含有硅氧化物。

8.根據權利要求4所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述第2導電膜含有所述第3導電膜所含的材料。

9.根據權利要求3所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

還具備設置在所述積層體與所述第3導電膜之間的第1存儲膜，

所述第1存儲膜包含

第1內側絕緣膜、

第1中間膜、及

第1外側絕緣膜，

在所述第3導電膜與所述積層體之間設置著所述第1外側絕緣膜，

在所述第1外側絕緣膜與所述第3導電膜之間設置著所述第1中間膜，且

在所述第1中間膜與所述第3導電膜之間設置著所述第1內側絕緣膜。

10.根據權利要求9所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

還具備設置在所述積層體與所述第2導電膜之間的第2存儲膜，

所述第2存儲膜包含

第2內側絕緣膜、

第2中間膜、及

第2外側絕緣膜，

在所述第2導電膜與所述積層體之間，設置著所述第2外側絕緣膜，含有所述第1外側絕緣膜所含的材料，

在所述第2外側絕緣膜與所述第2導電膜之間，設置著所述第2中間膜，含有所述第1中間膜所含的材料，且

在所述第2中間膜與所述第2導電膜之間，設置著所述第2內側絕緣膜，含有所述第1內側絕緣膜所含的材料。

11.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：還具備電極膜，所述電極膜沿所述第1方向及與所述第1方向交叉的第2方向擴展，包含配置在所述硅襯底內的第3下端部及配置在所述積層體內的第3延伸部。

12.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：所述第2導電膜與所述硅襯底絕緣。