[發明專利]集成電路結構

有效

• 申請號: 201610641063.4
• 申請日: 2016-08-08
• 公開（公告）號: CN107026168B
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發明（設計）人: 廖忠志
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11
• 分類號: H01L27/11
• 代理公司: 72003 隆天知識產權代理有限公司
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

1.一種集成電路結構，包括：

一靜態隨機存取存儲器陣列，包括一第一子陣列以及一第二子陣列，上述第一子陣列包括具有一第一多行以及多列的靜態隨機存取存儲器單元，上述第二子陣列包括具有一第二多行以及上述列的上述靜態隨機存取存儲器單元，以及上述靜態隨機存取存儲器陣列中的每個上述靜態隨機存取存儲器單元包括：

一第一上拉金氧半導體裝置以及一第二上拉金氧半導體裝置；

一第一下拉金氧半導體裝置以及一第二下拉金氧半導體裝置，與上述第一上拉金氧半導體裝置以及上述第二上拉金氧半導體裝置形成多交叉栓鎖反相器；以及

一第一溝道柵極金屬氧化物半導體裝置以及一第二溝道柵極金屬氧化物半導體裝置，連接至上述交叉栓鎖反相器；

一第一位元線以及一第一互補位元線，連接至上述第一子陣列的一行中的上述靜態隨機存取存儲器單元的上述第一溝道柵極金屬氧化物半導體裝置以及上述第二溝道柵極金屬氧化物半導體裝置；

一第二位元線以及一第二互補位元線，連接至上述第二子陣列的一列中的上述靜態隨機存取存儲器單元的上述第一溝道柵極金屬氧化物半導體裝置以及上述第二溝道柵極金屬氧化物半導體裝置，其中上述第一位元線以及上述第一互補位元線是與上述第二位元線以及上述第二互補位元線為斷開；

一感測放大器電路，電性耦接至上述第一位元線、上述第一互補位元線、上述第二位元線以及上述第二互補位元線，并用以感測上述第一位元線、上述第一互補位元線、上述第二位元線以及上述第二互補位元線；以及

一第一橋接金屬層導線以及一第二橋接金屬層導線，分別連接至上述第一位元線以及上述第一互補位元線，其中上述第一橋接金屬層導線以及上述第二橋接金屬層導線于未連接至上述第二子陣列中的上述靜態隨機存取存儲器單元的情況下跨越上述第二子陣列。

2.如權利要求1所述的集成電路結構，還包括一多工器，上述多工器包括分別連接至上述第一位元線、上述第一互補位元線、上述第二位元線以及上述第二互補位元線的一第一輸入節點、一第二輸入節點、一第三輸入節點以及一第四輸入節點。

3.如權利要求2所述的集成電路結構，其中上述多工器還包括：

一第一輸出節點以及一第二輸出節點，其中上述多工器用以將上述第一位元線以及上述第一互補位元線的信號發送至上述第一輸出節點以及上述第二輸出節點，或者于上述第二位元線以及上述第二互補位元線發送信號至上述第一輸出節點以及上述第二輸出節點。

4.如權利要求1所述的集成電路結構，其中上述第一橋接金屬層導線以及上述第二橋接金屬層導線是位于一金屬層中，上述金屬層是高于上述第一位元線以及上述第一互補位元線的一金屬層。

5.如權利要求1所述的集成電路結構，還包括：

一跳線結構，位于上述第一子陣列以及上述第二子陣列之間，其中上述跳線結構中并不具有上述靜態隨機存取存儲器單元；以及

多連接模組，位于上述跳線結構中，其中上述連接模組分別將上述第一橋接金屬層導線以及上述第二橋接金屬層導線連接至上述第一位元線以及上述第一互補位元線。

6.如權利要求1所述的集成電路結構，還包括：

一第一字元線，延伸于上述第一子陣列的一列中，其中上述第一字元線是位于一第一金屬層中，并電性耦接至上述列中的上述靜態隨機存取存儲器單元；以及

一第二字元線，延伸于上述第一子陣列的上述列中，并位于高于上述第一金屬層的一第二金屬層中，其中上述第一字元線以及上述第二字元線互連。

7.如權利要求1所述的集成電路結構，還包括：

一第一核心電源電壓供應線，連接至位于上述第一子陣列中以及上述第一子陣列中的上述一列中的多第一靜態隨機存取存儲器單元；以及

一第二核心電源電壓供應線，連接至位于上述第二子陣列中以及上述第二子陣列的上述一列中的多第二靜態隨機存取存儲器單元，其中上述第一核心電源電壓供應線是與上述第二核心電源電壓供應線斷開。