[發明專利]半導體元件及其制作方法

有效

• 申請號: 201610640986.8
• 申請日: 2016-08-08
• 公開（公告）號: CN107706233B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 洪慶文;黃志森
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L21/28;H01L23/48;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體元件，其特征在于包含：

基底；

多個柵極，設置于該基底上并朝向一第一方向延伸，該些柵極包含第一柵極與第二柵極，其中，該第一柵極包含第一延伸部，該第一延伸部自該第一柵極的側壁延伸出并朝向一第二方向延伸；以及

多個插塞，相互平行地設置于該基底上，該些插塞包含第一插塞與第二插塞，其中該第一插塞覆蓋在該第一柵極以及該第一延伸部上，該第二插塞覆蓋在該第二柵極上，該第一插塞的中心軸偏移該第一柵極的中心軸并朝向該第二方向偏移，以及該第二插塞的中心軸偏移該第二柵極的中心軸并朝向該第二方向偏移。

2.依據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，該些柵極具有第一間距，該些插塞具有第二間距，且該第一間距不同于該第二間距。

3.依據權利要求2所述的半導體元件，其特征在于，該第二間距大于該第一間距。

4.依據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，該些插塞設置在同一水平軸線上。

5.依據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，該第一插塞的該中心軸與該第一柵極的該中心軸之間的偏移距離大于該第二插塞的該中心軸與該第二柵極的該中心軸之間的偏移距離。

6.依據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，該第二柵極包含第二延伸部，該第二延伸部朝向該第二方向延伸，且該第二延伸部的長度小于該第一延伸部的長度。

7.依據權利要求6所述的半導體元件，其特征在于，該第一延伸部具有一階梯狀結構。

8.依據權利要求6所述的半導體元件，其特征在于，該第一延伸部包含第一部分及第二部分，該第一部分的長度與該第二延伸部的該長度相同。

9.依據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，該些柵極還包含設置在該第一柵極一側的第三柵極與第四柵極，且該些插塞還包含分別覆蓋在該第三柵極與該第四柵極上的第三插塞與第四插塞，其中，該第三插塞的中心軸偏移該第三柵極的中心軸并朝向一第三方向偏移，該第四插塞的中心軸偏移該第四柵極的中心軸并朝向該第三方向偏移，且該第三方向與該第二方向相反。

10.依據權利要求9所述的半導體元件，其特征在于，該第三插塞的該中心軸與該第三柵極的該中心軸之間的偏移距離大于該第四插塞的該中心軸與該第四柵極的該中心軸之間的偏移距離。

11.依據權利要求9所述的半導體元件，其特征在于，該第三柵極包含第三延伸部，該第三延伸部朝向該第三方向延伸。

12.依據權利要求11所述的半導體元件，其特征在于，該第三延伸部具有階梯狀結構。

13.依據權利要求11所述的半導體元件，其特征在于，該第四柵極包含第四延伸部，該第四延伸部朝向該第三方向延伸，且該第四延伸部的長度小于該第三延伸部的長度。

14.依據權利要求13所述的半導體元件，其特征在于，該第三延伸部包含第三部分及第四部分，該第三部分的長度與該第四延伸部的該長度相同。

15.依據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，該些柵極還包含第五柵極，該些插塞包含第五插塞，第五插塞覆蓋在該第五柵極上，且該第五柵極的中心軸與該第五插塞的中心軸重疊。