[發(fā)明專利]一種手機(jī)芯片主動式散熱裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610637603.1 | 申請日: | 2016-08-05 |
| 公開(公告)號: | CN106304775B | 公開(公告)日: | 2018-04-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 盧葦;王博韜;王南;謝超許;許浩;徐昆;劉進(jìn)陽 | 申請(專利權(quán))人: | 廣西大學(xué) |
| 主分類號: | H05K7/20 | 分類號: | H05K7/20 |
| 代理公司: | 北京中譽威圣知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11279 | 代理人: | 盧岳鋒,王正茂 |
| 地址: | 530004 廣西壯族*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 手機(jī)芯片 主動 散熱 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電子器件散熱技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種手機(jī)芯片主動式散熱裝置。
背景技術(shù)
隨著科技的不斷進(jìn)步,手機(jī)越來越智能化、多功能化;手機(jī)芯片的核心數(shù)不斷提高,主頻也越來越高。由于手機(jī)芯片要在非常短的時間內(nèi)執(zhí)行復(fù)雜的運算,其單位面積的功率非常大。一般智能手機(jī)運行時間長了以后,芯片就會散發(fā)出大量的熱量。如果不及時將這些熱量移除,就會導(dǎo)致手機(jī)的性能由于溫度升高而下降,而且還使耗電量增加。目前常用的手機(jī)散熱技術(shù)有金屬后蓋復(fù)合石墨散熱、冰巢散熱、導(dǎo)熱凝膠散熱、類似于變頻技術(shù)的內(nèi)核化散熱等,但是這些技術(shù)屬于被動式散熱,散熱效果不是很理想,難以滿足手機(jī)發(fā)展的需求。
公開于該背景技術(shù)部分的信息僅僅旨在增加對本發(fā)明的總體背景的理解,而不應(yīng)當(dāng)被視為承認(rèn)或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已為本領(lǐng)域一般技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種手機(jī)芯片主動式散熱裝置,從而克服現(xiàn)有的手機(jī)被動式散熱的各種不足之外,其散熱效果難以滿足手機(jī)發(fā)展需求的缺點。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種手機(jī)芯片主動式散熱裝置,其中,包括:兩個多級努森壓縮機(jī),兩個該多級努森壓縮機(jī)分開設(shè)置于芯片的基材上,且每個該多級努森壓縮機(jī)的進(jìn)口與外界相通,每個該多級努森壓縮機(jī)對空氣進(jìn)行加壓后從出口排出;其中一個該多級努森壓縮機(jī)為主多級努森壓縮機(jī),另一個該多級努森壓縮機(jī)為輔多級努森壓縮機(jī);蒸發(fā)室,其凹設(shè)于芯片的基材上,該蒸發(fā)室內(nèi)儲存有制冷劑,所述制冷劑通過吸收熱量進(jìn)行蒸發(fā);該蒸發(fā)室的氣體進(jìn)口通過一進(jìn)氣通道與所述多級主努森壓縮機(jī)的出口連接;匯流腔,其凹設(shè)于芯片的基材上,該匯流腔的進(jìn)口與所述蒸發(fā)室的氣體出口連接;冷凝室,其包括設(shè)置于芯片的基材上且上下平行分布的熱流腔和冷流腔;所述熱流腔的進(jìn)口與所述匯流腔的出口連接,所述冷流腔的進(jìn)口與所述輔多級努森壓縮機(jī)的出口連接;下降通道,其縱向設(shè)置于芯片的基材上,該下降通道的上端與所述熱流腔的出口連接;螺旋通道,其自下至上螺旋上升地設(shè)置于芯片的基材上,該螺旋通道的下端與所述下降通道的下端連接;氣液分離室,其凹設(shè)于芯片的基材上,該氣液分離室的下端與所述螺旋通道的上端連接;該氣液分離室的上端覆蓋有疏水性平面膜;排氣通道,其凹設(shè)于芯片的基材上,該排氣通道的一端同時與所述冷流腔的出口及所述氣液分離室的上端連接,且該排氣通道的另一端與外界相通;以及回液通道,其設(shè)置于芯片的基材內(nèi),該回液通道的一端與所述螺旋通道的下端連接,且該回液通道的另一端與所述蒸發(fā)室的液體進(jìn)口連接。
優(yōu)選地,上述技術(shù)方案中,每個所述多級努森壓縮機(jī)包括若干個依序串聯(lián)在一起的單級努森壓縮機(jī),每個所述單級努森壓縮機(jī)包括一冷腔以及一位于所述冷腔的下方且通過微通道組與所述冷腔連接的熱腔;前一個所述單級努森壓縮機(jī)的熱腔與后一個所述單級努森壓縮機(jī)的冷腔連接,所述多級努森壓縮機(jī)的進(jìn)口與第一個所述單級努森壓縮機(jī)的冷腔連接,所述多級努森壓縮機(jī)的出口與最后一個所述單級努森壓縮機(jī)的熱腔連接。
優(yōu)選地,上述技術(shù)方案中,所述蒸發(fā)室的氣體進(jìn)口通過若干個分流通道與所述進(jìn)氣通道連接;且所述蒸發(fā)室的氣體出口通過若干個出氣通道與所述匯流腔的進(jìn)口連接,所述出氣通道為一由中間向兩端逐漸變寬的通道。
優(yōu)選地,上述技術(shù)方案中,所述熱流腔和所述冷流腔于進(jìn)口與出口之間均設(shè)置有若干個平行的氣流槽。
優(yōu)選地,上述技術(shù)方案中,所述下降通道的上端通過一彎道與所述熱流腔的出口連接。
優(yōu)選地,上述技術(shù)方案中,所述氣液分離室內(nèi)設(shè)置有一縱向斷面呈開口朝上的U形狀的親水性纖維膜,所述親水性纖維膜彎卷成蝸線狀;所述氣液分離室的下端還設(shè)置有與所述螺旋通道相通的集液孔。
優(yōu)選地,上述技術(shù)方案中,所述疏水性平面膜采用聚丙烯或聚四氟乙烯材料,厚度處于微米級;所述親水性纖維膜采用二醋酸纖維素或聚丙烯氰材料,厚度處于微米級。
優(yōu)選地,上述技術(shù)方案中,所述蒸發(fā)室的上端覆蓋有一層絕熱薄膜,且所述螺旋通道和所述回液通道的底部也覆蓋有一層絕熱薄膜。
優(yōu)選地,上述技術(shù)方案中,所述回液通道上設(shè)置有一微型閥室,所述微型閥室包括閥室進(jìn)口、閥室出口以及用于連通所述閥室進(jìn)口和所述閥室出口的蛇形通道,且所述閥室進(jìn)口和所述閥室出口均呈靠近所述蒸發(fā)室的一端為較小一端的錐形孔狀。
優(yōu)選地,上述技術(shù)方案中,所述制冷劑為乙醇。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有如下有益效果:
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