[發(fā)明專利]一種多晶硅片背面鈍化工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610633838.3
• 申請日: 2016-08-05
• 公開（公告）號: CN106299019B
• 公開（公告）日: 2017-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙科巍;郭衛(wèi);王恩宇;申開愉;張之棟;張波
• 申請（專利權(quán)）人: 山西潞安太陽能科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 太原市科瑞達專利代理有限公司14101
• 代理人: 李富元

1.一種多晶硅片背面鈍化工藝，其特征在于按照如下的步驟進行：

步驟一、放置多晶硅片在加熱爐中，升溫到910攝氏度，持續(xù)通入氣化三溴化硼，以5攝氏度/分鐘持續(xù)升溫至 970攝氏度，保溫12分鐘；

步驟二、保持溫度970攝氏度不變，停止通入三溴化硼，通入氮氣1分鐘后停止；

步驟三、保持溫度970攝氏度不變，通入氮氣和一氧化二氮混合物進行推進10分鐘后停止；

步驟四、通入氧氣進行氧化，同時以5攝氏度/分鐘持續(xù)降溫至 820攝氏度，保溫10分鐘，停止通入氧氣，在氮氣環(huán)境下自然冷卻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅片背面鈍化工藝，其特征在于：步驟一中三溴化硼的流量為10-20升/分鐘，步驟二中，氮氣的流量為15升/分鐘，步驟三中氮氣和一氧化二氮的比例為1:1，氮氣和一氧化二氮混合物流量為10升/分鐘，步驟四中，氧氣流量為10升/分鐘。