[發明專利]半導體存儲裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201610631403.5
• 申請日: 2016-08-04
• 公開（公告）號: CN106711147B
• 公開（公告）日: 2019-07-12
• 發明（設計）人: 濱中啟伸
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568;G11C16/04
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種半導體存儲裝置，其特征在于具備：

襯底；

積層體，配置在所述襯底上，且具有隔著絕緣層堆疊而成的多個電極層；

第1半導體膜，一體地配置在所述積層體內及所述襯底內，且具有：

配置在所述積層體內且沿所述積層體的堆疊方向延伸的第1半導體部、及

配置在所述襯底內且與所述襯底相接的第2半導體部；

第1絕緣膜，配置在所述積層體內及所述襯底內，具有電荷存儲膜，且具備：

配置在所述第1半導體部與所述多個電極層之間沿所述堆疊層方向延伸且具有與所述第2半導體部相接的下表面的第1絕緣部、及

配置在所述襯底內隔著所述第2半導體部而與所述第1絕緣部相隔且與所述襯底及所述第2半導體部相接的第2絕緣部；以及

第2半導體膜，配置在所述積層體內及所述襯底內，且具備：

配置在所述第1半導體部與所述第1絕緣部之間沿所述堆疊方向延伸且具有比所述第1絕緣部的所述下表面的高度低的下表面的第3半導體部；及

配置在所述襯底內且與所述第3半導體部及所述襯底相隔地配置在所述第2半導體部與所述第2絕緣部之間的第4半導體部。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于所述第2半導體部具有配置成所述第1絕緣部的所述下表面的高度與所述第2半導體部的和所述第2絕緣部相接的面的高度之間的高度的階差部。

3.根據權利要求2所述的半導體存儲裝置，其特征在于從所述堆疊方向觀察時，所述階差部與所述第1絕緣部的所述下表面重合。

4.根據權利要求2所述的半導體存儲裝置，其特征在于所述第3半導體部的所述下表面配置成所述第1絕緣部的所述下表面的高度與所述階差部的高度之間的高度。

5.根據權利要求2所述的半導體存儲裝置，其特征在于在與所述堆疊方向相交的第1方向上，所述第2半導體部的所述階差部的寬度為所述第3半導體部的厚度以上。

6.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于從所述堆疊方向觀察時，所述第3半導體部的最大內徑大于所述第4半導體部的最大直徑。

7.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于所述第1絕緣部的所述下表面配置成所述襯底的和所述積層體相接的面的高度與所述第3半導體部的所述下表面的高度之間的高度。

8.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于所述第4半導體部由所述第2絕緣部包圍。

9.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于所述第4半導體部由所述第2半導體部包圍。

10.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于與所述堆疊方向相交的第1方向上的所述第3半導體部的厚度在從所述堆疊方向觀察時為所述第4半導體部的最大直徑除以2所得的值以上。

11.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于所述第2絕緣部與所述第2半導體部的下表面相接。

12.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于與所述堆疊方向相交的第1方向上的所述第3半導體部的厚度在從所述堆疊方向觀察時小于所述第4半導體部的最大直徑除以2所得的值。

13.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于所述第2半導體膜具有相較所述第2絕緣部配置在更下方的下表面。

14.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于所述第4半導體部具有中空圓柱狀，且在所述第4半導體部的內側配置有所述第2半導體部。

15.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于所述第2半導體部與所述第4半導體部的上表面、下表面及側面相接。