[發明專利]足金及其制造方法在審
| 申請號： | 201610629809.X | 申請日： | 2016-08-03 |
| 公開（公告）號： | CN107684202A | 公開（公告）日： | 2018-02-13 |
| 發明（設計）人： | 林國偉 | 申請（專利權）人： | 周生生珠寶金行有限公司 |
| 主分類號： | A44C27/00 | 分類號： | A44C27/00 |
| 代理公司： | 深圳市瑞方達知識產權事務所(普通合伙)44314 | 代理人： | 張約宗,張秋紅 |
| 地址： | 中國香港九龍彌敦道229號G*** | 國省代碼： | 香港;81 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 足金 及其 制造 方法 | ||
1.一種足金，其特征在于，包括第一足金層和設置在所述第一足金層的外表面的第二足金層，所述第一足金層的維氏硬度低于所述第二足金層的維氏硬度。
2.根據權利要求1所述的足金，其特征在于，所述第一足金層的維氏硬度為20Hv至70Hv。
3.根據權利要求2所述的足金，其特征在于，所述第二足金層的維氏硬度為70Hv至160Hv。
4.根據權利要求1所述的足金，其特征在于，所述第二足金層的厚度為5μm至60μm。
5.根據權利要求1至5中任一項所述的足金，其特征在于，所述第二足金層通過電化學沉積法沉積在所述第一足金層的外表面。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的足金，其特征在于，所述第二足金層包括在所述第一足金層的外表面上依次層疊設置的多個子足金層。
7.根據權利要求6所述的足金，其特征在于，多個所述子足金層具有不同的維氏硬度，多個所述子足金層的維氏硬度沿遠離所述第一足金層的方向逐層遞增。
8.根據權利要求7所述的足金，其特征在于，所述多個子足金層中相鄰兩個子足金層的維氏硬度的差值為15Hv至30Hv。
9.一種足金的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供第一足金層；
提供第二足金層，所述第二足金層的維氏硬度大于所述第一足金層的維氏硬度；
將所述第二足金層沉積在所述第一足金層的外表面上。
10.根據權利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述第二足金層通過電化學沉積法沉積在所述第一足金層的外表面上。
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