[發明專利]足金及其制造方法

在審

• 申請號: 201610629809.X
• 申請日: 2016-08-03
• 公開（公告）號: CN107684202A
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發明（設計）人: 林國偉
• 申請（專利權）人: 周生生珠寶金行有限公司
• 主分類號: A44C27/00
• 分類號: A44C27/00
• 代理公司: 深圳市瑞方達知識產權事務所(普通合伙)44314
• 代理人: 張約宗,張秋紅

技術領域

本發明涉及足金飾品領域，尤其涉及足金及其制造方法。

背景技術

足金首飾為我國傳統文化的常見佩戴飾物，其獨特的金黃色金屬光芒能更顯佩戴者的貴氣及美態，故我國歷代黃金飾物都被選用在大型喜慶節日上，如婚假禮儀中足金龍鳳更是不可獲取的祝福吉祥物之首。然而，足金首飾中以千足純金最具韌性，且高純度提煉而成的足金首飾不含雜質，在外觀上能歷久常新不被氧化，在價值上亦為所有貴金屬中最高，達99.9％純度的黃金是世界流通的貨幣之一。

然而，高純度的足金材料由于其晶體結構為面心立方晶體，故其很軟，容易變形，應用在日常佩戴飾物上容易引起變形、損壞等情況，影響足金首飾的美觀及耐用性。

發明內容

為了克服上述現有技術中的缺點，本發明提供了一種足金及其制造方法。

本發明提供的足金包括第一足金層和設置在所述第一足金層的外表面的第二足金層，所述第一足金層的維氏硬度低于所述第二足金層的維氏硬度。

上述的足金中，所述第一足金層的維氏硬度為20Hv至70Hv。

上述的足金中，所述第二足金層的維氏硬度為70Hv至160Hv。

上述的足金中，所述第二足金層的厚度為5μm至60μm。

上述的足金中，所述第二足金層通過電化學沉積法沉積在所述第一足金層的外表面上。

上述的足金中，所述第二足金層包括在所述第一足金層的外表面上依次層疊設置的多個子足金層。

上述的足金中，多個所述子足金層具有不同的維氏硬度，多個所述子足金層的維氏硬度沿遠離第一足金層的方向逐層遞增。

上述的足金中，所述多個子足金層中相鄰兩個子足金層的維氏硬度的差值為15Hv至30Hv。

本發明還提供一種足金的制造方法，包括以下步驟：

提供第一足金層；

提供第二足金層，所述第二足金層的維氏硬度大于所述第一足金層的維氏硬度；

將所述第二足金層沉積在所述第一足金層的外表面上。

上述的制造方法，所述第二足金層通過電化學沉積法沉積在所述第一足金層的外表面上。

本發明的有益效果在于：通過在硬度較低的足金層外表面包覆硬度較高的足金層，從而提高整個足金的硬度，改善其韌性，進而使該足金有效地應用在足金首飾的生產中，增加足金首飾的結構強度，改善足金首飾的美觀度和耐用性。

附圖說明

圖1是應用本發明較佳實施例提供的足金的山字鉤的剖面圖；

圖2是圖1中沿X-X線的橫截面圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施方式對本發明作進一步說明。

參見圖1和圖2，根據本發明較佳實施例提供的足金制備的山字鉤，該足金包括第一足金層4以及設置在第一足金層4的外表面的第二足金層5，第二足金層5的維氏硬度大于第一足金層4的維氏硬度。第一足金層的維氏硬度為20Hv至70H。第二足金層的維氏硬度為70Hv至160H。第二足金層的厚度為5μm至60μm。在本實施例中，第一足金層4、第二足金層5的金含量均大于99.9％。由此產生的足金具有復合層結構，其硬度和抗變形程度是現有技術的足金的三至四倍。硬度和抗變形程度的增強有效確保足金首飾佩戴時減少變形、損壞等情況的發生。

在本實施例中，第二足金層5包覆在第一足金層4的外表面上。

具體地，在本實施例中，第二足金層5通過電化學沉積法沉積在第一足金層4的外表面上。采用電化學沉積法將第二足金層5沉積在第一足金層4的外表面上，將電流效率限定在50％至70％之間，結晶粒體的尺寸限定在2nm至20nm，結晶粒體的尺寸越小，則沉積層的硬度越高。因此，通過控制電流效率和結晶粒體的尺寸可以有效地控制沉積層的硬度。第一足金層4可預先以不同的成型技術，如手工打造、銅模壓鑄或足金電鍍技術實現預成型。第一足金層在成型時沒有設計、款式或厚度的要求。

第二足金層5包括多個子足金層51。多個子足金層51依次層疊設置在第一足金層4的外表面上。例如，子足金層51為三層時，朝向第一足金層4的最內側子足金層51通過電化學沉積法沉積在第一足金層4的外表面；第二個子足金層51通過電化學沉積法沉積在最內側子足金層51的外表面上；第三個子足金層51通過電化學沉積法沉積在第二個子足金層51的外表面上，形成該足金的最外層。

在一實施例中，多個子足金層51采用相同的電化學沉積法依次沉積，則多個子足金層51可具有相同的維氏硬度。