[發明專利]太陽能級硅切片清洗劑及其制備方法在審
| 申請號: | 201610624467.2 | 申請日: | 2016-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN107686776A | 公開(公告)日: | 2018-02-13 |
| 發明(設計)人: | 石建偉 | 申請(專利權)人: | 天津鑫泰士特電子有限公司 |
| 主分類號: | C11D1/22 | 分類號: | C11D1/22;C11D1/72;C11D3/30;C11D3/33;C11D3/20;C11D3/04;C11D3/60 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽 能級 切片 洗劑 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及電子工業清洗劑技術領域,尤其是一種太陽能級硅切片清洗劑及其制備方法。
背景技術
在光伏和半導體硅片生產過程中,尤其是在用于制造太陽能電池的太陽能硅片生產過程中,往往有一些雜質附著在硅片表面上,需要對硅片進行清洗,才能得到合格的產品。太陽能硅片是制造太陽能電池的基礎,它的表面狀態會影響到電池的可靠性和成品率,因此對太陽能硅片的表面清洗要求較高。常規的硅片清洗劑由于配方的原因而具有如下缺點:清洗時間較長,一般需要5-20分鐘,清洗效果不理想,會出現花片,即清洗后的太陽能級硅切片表面會出現殘留物斑跡,對太陽能級硅切片表面腐蝕較嚴重等。
發明內容
本發明的目的在于克服現有技術的不足,提供一種太陽能級硅切片清洗劑及其制備方法,具有清洗時間短、操作簡單、成本低、清洗效果理想、且清洗后的太陽能級硅切片無雜質,表面僅輕度腐蝕。
本發明解決其技術問題是采用以下技術方案實現的:
一種太陽能級硅切片清洗劑,所述清洗劑的組份和重量百分比如下:表面活性劑1-15%;有機堿5-15%;絡合劑2-10%;助溶劑3-10%;無機堿PH調節劑0.01-2%;余量為去離子水;
其中,所述表面活性劑選自十二烷基苯磺酸鈉、壬基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚或其組合;
所述有機堿選自三乙醇胺、四甲基氫氧化銨或其組合;
所述絡合劑選自以下的一種或多種:乙二胺四乙酸二鈉、檸檬酸鈉和乙二胺四乙酸;
所述助溶劑選自丙三醇、乙醇、異丙醇或其混合物。
優選的,所述的無機堿PH調節劑為濃度為40%的氫氧化鉀溶液。
太陽能級硅切片清洗劑的制備方法,包括以下步驟:
(1)取一定量去離子水,向其中加入5-15%的有機堿,配制成溶液;
(2)在攪拌的條件下,向上述溶液中加入2-10%的絡合劑和0.01-2%無機堿PH調節劑;所述絡合劑為乙二胺四乙酸二鈉;
(3)在攪拌的條件下,向其中加入1-15%的表面活性劑;
(4)在攪拌的條件下,向其中加入3-10%的助溶劑;
(5)在攪拌的條件下,加入去離子水,一共攪拌兩個小時,最后得到太陽能級硅切片清洗劑。
本發明的優點和積極效果是:
1、本發明制成通過對清洗劑的組份和重量百分比的選擇,獲得了一種具有清洗時間短、操作簡單、成本低、清洗效果理想、且清洗后的太陽能級硅切片無雜質,表面僅輕度腐蝕。
2、本發明選用乙二胺四乙酸二鈉作為絡合劑,降低金屬離子沾污的危險。
3、本發明濃縮度高,單組份可以替代市面上的雙組份,降低了成本,加快了清洗進程,縮短了清洗時間。
具體實施方式
以下對本發明實施例做進一步詳述:
一種太陽能級硅切片清洗劑,所述清洗劑的組份和重量百分比如下:表面活性劑1-15%;有機堿5-15%;絡合劑2-10%;助溶劑3-10%;無機堿PH調節劑0.01-2%;余量為去離子水;
其中,所述表面活性劑選自十二烷基苯磺酸鈉、壬基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚或其組合;
所述有機堿選自三乙醇胺、四甲基氫氧化銨或其組合;
所述絡合劑選自以下的一種或多種:乙二胺四乙酸二鈉、檸檬酸鈉和乙二胺四乙酸;
所述助溶劑選自丙三醇、乙醇、異丙醇或其混合物。
本發明所述的無機堿PH調節劑為濃度為40%的氫氧化鉀溶液。
太陽能級硅切片清洗劑的制備方法,包括以下步驟:
(1)取一定量去離子水,向其中加入5-15%的有機堿,配制成溶液;
(2)在攪拌的條件下,向上述溶液中加入2-10%的絡合劑和0.01-2%無機堿PH調節劑;所述絡合劑為乙二胺四乙酸二鈉;
(3)在攪拌的條件下,向其中加入1-15%的表面活性劑;
(4)在攪拌的條件下,向其中加入3-10%的助溶劑;
(5)在攪拌的條件下,加入去離子水,一共攪拌兩個小時,最后得到太陽能級硅切片清洗劑。
本發明清洗太陽能級硅切片的工作流程:為延長清洗劑的壽命,可以將太陽能級硅切片采用循環去離子水進行預清洗,然后采用配比為1%-3%的清洗劑,在最佳工作溫度60℃的條件下對太陽能級硅切片進行清洗,清洗浸泡時間為3-8分鐘,清洗干凈后,進而在常溫至45℃的循環去離子水中對太陽能級硅切片進行充分漂洗,完成后,對太陽能級硅切片進行干燥處理。
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