[發(fā)明專利]太陽能級硅切片清洗劑及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201610624467.2
• 申請日: 2016-08-03
• 公開（公告）號: CN107686776A
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 石建偉
• 申請（專利權(quán)）人: 天津鑫泰士特電子有限公司
• 主分類號: C11D1/22
• 分類號: C11D1/22;C11D1/72;C11D3/30;C11D3/33;C11D3/20;C11D3/04;C11D3/60
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• 代理人: 暫無信息

1.一種太陽能級硅切片清洗劑，其特征在于，所述清洗劑的組份和重量百分比如下：表面活性劑1-15%；有機堿5-15%；絡(luò)合劑2-10%；助溶劑3-10%；無機堿PH調(diào)節(jié)劑0.01-2%；余量為去離子水；

其中，所述表面活性劑選自十二烷基苯磺酸鈉、壬基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚或其組合；

所述有機堿選自三乙醇胺、四甲基氫氧化銨或其組合；

所述絡(luò)合劑選自以下的一種或多種：乙二胺四乙酸二鈉、檸檬酸鈉和乙二胺四乙酸；

所述助溶劑選自丙三醇、乙醇、異丙醇或其混合物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能級硅切片清洗劑，其特征在于，所述的無機堿PH調(diào)節(jié)劑為濃度為40%的氫氧化鉀溶液。

3.太陽能級硅切片清洗劑的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）取一定量去離子水，向其中加入5-15%的有機堿，配制成溶液；

（2）在攪拌的條件下，向上述溶液中加入2-10%的絡(luò)合劑和0.01-2%無機堿PH調(diào)節(jié)劑；所述絡(luò)合劑為乙二胺四乙酸二鈉；

（3）在攪拌的條件下，向其中加入1-15%的表面活性劑；

（4）在攪拌的條件下，向其中加入3-10%的助溶劑；

（5）在攪拌的條件下，加入去離子水，一共攪拌兩個小時，最后得到太陽能級硅切片清洗劑。